HFET

作品数：103被引量：100H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：薛舫时陈堂胜张志国杨克武杨瑞霞更多>>
相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学河北工业大学更多>>
相关期刊：《Optoelectronics Letters》《微电子学》《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》《半导体技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体信息x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高性能ZnO HFET器件的开发
《半导体信息》2010年第4期16-16,共1页孙再吉 
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本大阪大学纳米材料微器件研究中心采用ZnO宽禁带半导体材料制作了具有微波特性的HFET器件。ZnMgO/ZnO异质结构形成了高迁移率、高浓度的二维电子气。该器件源栅间距为2μm,栅宽为100μm,跨导...
关键词：ZNO HFET 高频特性 截止频率 跨导 纳米材料 日本大阪大学 异质结构 二维电子气 微波特性 高迁移率 
f_T为152 GHz的AlGaN/GaN HFET
《半导体信息》2005年第6期32-32,共1页孙再吉 
据《Jpn.J.Appl.Phys》2005年第16期报道,日本情报通信研究中心成功研制了毫米波大功率GaN异质结场效应管。研究小组在蓝宝石衬底上通过RF-MBE生长了高Al组分和具有超薄Al- GaN势垒层的AlGaN/GaN异质结构,使其获得很大的二维电子气浓度...
关键词：ALGAN GHZ f_T 电流增益 场效应管 栅长 异质结构 截止频率 情报通信 势垒层 
高性能AlGaN/GaN HFET
《半导体信息》2003年第1期27-27,共1页陈裕权 
美国得克萨斯大学和伊利诺斯大学联合开发出一种高性能δ掺杂 AlGaN/AIN/GaNHFET,其外延异质结构用低压 MOCVD 方法生长。这种性能极好的器件以半绝缘4H—SiC 作衬底。其外延结构为:一层100nm 的 AIN 缓冲层,3μm的非掺杂 GaN 层,1nm 的...
关键词：ALGAN 势垒层 MOCVD 外延结构 伊利诺斯大学 半绝缘 异质结构 缓冲层 栅长 载流子密度 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部