HGCDTE晶体

作品数：18被引量：26H指数：2
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外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究
《哈尔滨工业大学学报》1999年第3期8-10,共3页蓝慕杰 叶水驰 鲍海飞 于杰 周士仁 王培林 
介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化...
关键词：磁场 晶体生长 BRIDGMAN法 碲镉汞晶体 
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