HVPE

作品数：79被引量：84H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张荣郑有炓修向前张嵩于广辉更多>>
相关机构：中国科学院南京大学北京大学河北工业大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=高技术通讯x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究
《高技术通讯》2014年第9期971-974,共4页俞慧强 修向前 张荣 华雪梅 谢自力 刘斌 陈鹏 韩平 施毅 郑有炓 
973计划(2011CB301900,2012CB619304,2010CB327504);863计划(2014AA032605);国家自然科学基金(60990311,61274003,60936004,61176063);江苏省自然科学基金(BK2011010)资助项目
在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al_2O_3以及GaN/α-Al_2O_3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究。重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了...
关键词：氮化铟(InN) 薄膜 氢化物气相外延(HVPE) 
Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究
《高技术通讯》2002年第3期47-49,共3页汪峰 张荣 陈志忠 朱健民 顾书林 沈波 李卫平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究专项(G20000683);国家杰出青年科学研究基金(60025411);国家自然科学基金(69976014,69636010,69806006,69987001);863计划(863307123(05),8637150010220,8637150110031)资助项目
用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横...
关键词：微结构和光学性质 HVPE横向外延GaN Si(III)衬底 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部