II-VI族

作品数：12被引量：29H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张振宇郭东明沈悦张建成萨百晟更多>>
相关机构：中国科学院上海大学大连理工大学合肥工业大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《液晶与显示》《材料工程》《中国科技信息》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技新星计划上海市青年科技启明星计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子学x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2
《微电子学》2012年第6期881-884,共4页张家奇 杨秋旻 赵杰 崔利杰 刘超 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065)
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰...
关键词：硒化锌 N型掺杂 分子束外延 II-VI族化合物半导体 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部