LDD结构

作品数：12被引量：5H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：吕志娟高勇王彩琳刘梦新丁瑞军更多>>
相关机构：江南大学吉林建筑大学现代电子产业株式会社常熟理工学院更多>>
相关期刊：《红外与毫米波学报》《微电子学与计算机》《集成电路通讯》《经济技术协作信息》更多>>
相关基金：浙江省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子学与计算机x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
二维短沟道SOI—MOSFET/LDD结构的阈值电压
《微电子学与计算机》1989年第6期29-31,共3页周婷俐 
本文提出了一种直稳态二维短沟道SOI-MOS PET/LDD结构的数值模型,所选用的基本方程是泊松方程、载流子的电流连续性方程和电流密度方程。该模型从SOI器件的结构出发,着重考虑了阈值电压随沟道长度的变化关系,提出了采用轻掺杂漏、源(LDD...
关键词：LDD结构 MOSFET 阈值电压 场效应管 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部