LDD结构

作品数：12被引量：5H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：吕志娟高勇王彩琳刘梦新丁瑞军更多>>
相关机构：江南大学吉林建筑大学现代电子产业株式会社常熟理工学院更多>>
相关期刊：《红外与毫米波学报》《微电子学与计算机》《集成电路通讯》《经济技术协作信息》更多>>
相关基金：浙江省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=电子器件x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Halo LDD结构多晶硅薄膜晶体管的模拟研究
《电子器件》2008年第6期1783-1785,1789,共4页刘小红 顾晓峰 于宗光 
江苏省自然科学基金项目资助(BK2007026);教育部新世纪优秀人才支持计划资助(NCET-06-0484)
提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区。并利用工艺和器件模拟软件对该Halo LDD P-Si TFT的电学特性进行了分析,并将其与常规结构、LDD结构和Halo结构进...
关键词：多晶硅薄膜晶体管 HALO LDD 模拟 
基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究被引量：2
《电子器件》2006年第2期325-329,共5页张新 刘梦新 高勇 洪德杰 王彩琳 邢昆山 
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率...
关键词：全耗尽 SOI CMOS LDD结构 LDS结构 脉冲测定 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部