MCVD工艺

作品数:13被引量:10H指数:2
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基于MCVD设备的RIT/RIC套管工艺探索被引量:2
《现代传输》2014年第2期54-55,共2页孙可元 吴江华 李庆国 
本文主要针对RIT/RIC套管工艺技术的缺陷,阐述利用MCVD工艺,在MCVD设备上进行芯棒制备,同时通过优化蚀刻套管技术,利用MCVD制备芯棒自身优点,在不移动芯棒的情况下,成功完成套管大棒化制备过程。
关键词:RIT RIC套管技术 MCVD工艺 蚀刻 大棒化 
长波长细径保偏光纤的制作被引量:1
《光通信技术》2010年第9期60-62,共3页郑风振 衣永青 王村夫 
通过介绍长波长熊猫型细径保偏光纤的制作工艺过程。分析细径保偏光纤制作的技术难点,初步解决了细径保偏光纤制作工艺中的问题,制作出了长波长熊猫型细径保偏光纤样品。所制作的保偏光纤在1550nm波长下损耗小于1dB/km,偏振串音达到近-2...
关键词:MCVD工艺 保偏光纤 熊猫型保偏光纤 细径保偏光纤 
抗辐照光纤技术研究
《天津科技》2008年第4期70-72,共3页王东波 孙建军 
介绍了光纤受辐照影响及其原因,通过对光纤抗辐照机理的研究指出了解决光纤受辐照影响的一些可能的方向,并提出了相应的解决措施。结合对光纤抗辐照机理的研究和理解。
关键词:抗辐照 MCVD工艺 包层重掺氟 纯石英芯光纤 
椭圆包层型保偏光纤的设计与研制
《天津科技》2008年第2期63-65,共3页田海生 王东波 孙建军 
从理论分析、结构分析和工艺制备方面介绍了椭圆包层型保偏光纤的研制,阐述了这种光纤在实际应用中的优良性能,重点介绍了Φ45椭圆包层型保偏光纤的制备。
关键词:椭圆包层型 保偏光纤 MCVD工艺 双折射 
MCVD工艺沉积温度对有源光纤掺杂浓度的影响研究被引量:4
《光通信技术》2007年第1期60-61,共2页衣永青 田海生 宁鼎 
天津科技预研基金项目(043602311)资助
以掺镱双包层光纤为例,主要介绍了用MCVD工艺及溶液掺杂法制备掺稀土离子有源光纤,通过对低温沉积疏松芯层时温度控制对最终研制的有源光纤镱离子掺杂浓度的影响研究,得出沉积温度对有源光纤掺杂浓度影响的规律,为目前国内普遍采用的MCV...
关键词:MCVD 有源光纤 稀土掺杂 
高精度光纤陀螺用1550nm熊猫型保偏光纤的制作被引量:1
《网络电信》2005年第10期29-29,34,共2页郑风振 林亦珍 王村夫 李昌峰 
本文介绍了采用MCVD工艺制作保偏光纤单模预制棒和应力预制棒.采用打孔法制熊猫型保偏光钎研制出了高精度光纤陀螺用1550nm熊猫型保偏光纤。保偏光纤的偏振串音选到-25dB/2km.损耗小于1dB/km。
关键词:MCVD工艺 离精度光纤陀螺 熊猫型保偏光纤、打孔法 保偏光纤 光纤陀螺 工艺制作 高精度 熊猫 MCVD 预制棒 
浅析MCVD工艺中优化光纤(G.652)损耗的一种方法
《网络电信》2004年第5期28-30,共3页唐凤再 
传输损耗是光纤的重要参数.本文阐述了MCVD工艺中优化光纤(G.652)损耗的一种方法.即在光纤预制棒的制作过程中.在近芯包层沉积一定量的二氧化锗.用以降低光纤预制棒芯部和包层的锗的浓度梯度.从而减少高温拉丝过程中在光纤中形成...
关键词:MCVD G.652 光纤预制棒 传输损耗 二氧化锗 包层 拉丝 工艺 机理 降低 
热式质量流量传感器在MCVD工艺中的应用
《计算机测量与控制》2003年第7期559-560,共2页叶桂军 宋启敏 王勇军 
介绍了光纤预制棒的生产工艺MCVD法和热式质量流量传感器的基本原理 ,阐述了质量流量计在MCVD工艺中的应用 ,并着重介绍了流量测量系统的硬件和软件设计。
关键词:MCVD工艺 光纤预制棒 生产工艺 热式质量流量传感器 单片机 控制系统 
1550nm单模单偏振光纤的研制
《网络电信》2002年第4期44-45,共2页王村夫 林亦珍  
我们采用MCVD工艺研制低折射率内包层的单模母棒及折射率与石英外包层匹配的应力棒,采用组合法制作熊猫单模单偏振光纤预制棒的工艺方法,研制成功了1550nm波长的单模单偏振光纤。在1550nm波长下HE^Hx模的最低传输损耗为4.78dB/km、420...
关键词:MCVD工艺 单模光纤 单模单偏振光纤 
提高MCVD工艺单模光纤生产率的新技术被引量:2
《光通信研究》1998年第4期24-31,共8页唐仁杰 曹美娥 
光通信迅速发展,对单模光纤的需求急剧增长。以传统的MCVD工艺生产单模光纤,生产率受到限制。本文首先简要分析了这些限制因素,然后综述克服这些限制因素的新技术,其中包括使用合成石英管、各种混合工艺以及可取代氢氧焰的新...
关键词:单模光纤 MCVD 合成石英管 混合工艺 光纤通信 
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