MHEMT

作品数：20被引量：23H指数：3
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利用电子束光刻技术实现200nm栅长GaAs基MHEMT器件
《科学通报》2008年第5期593-597,共5页徐静波 张海英 王文新 刘亮 黎明 付晓君 牛洁斌 叶甜春 
国家重点基础研究发展计划(编号:G2002CB311901);装备预先研究项目(编号:61501050401C);中国科学院微电子研究所所长基金(编号:O6SB124004)资助项目
电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频...
关键词：电子束光刻 应变高电子迁移率晶体管 T型栅 电流增益截止频率 
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