MHEMT

作品数:20被引量:23H指数:3
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相关机构:中国科学院微电子研究所桂林电子科技大学南京电子器件研究所成都海威华芯科技有限公司更多>>
相关期刊:《Chinese Physics B》《Science Bulletin》《科学通报》《微纳电子技术》更多>>
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基于70 nm GaAs MHEMT单管芯的低噪声放大器设计
《电子设计工程》2019年第14期55-58,共4页官劲 龚敏 高博 陆雨茜 
设计了一种基于70nm GaAs MHEMT(变形高电子迁移率晶体管)单管芯的宽带低噪声放大器(LNA),频率覆盖50MHz到3GHz。采用负反馈和输入输出匹配技术补偿晶体管增益随频率的滚降,以及优化稳定性和反射系数。所设计的单管芯LNA增益大约为15dB...
关键词:MMIC LNA 70nm GAAS MHEMT 负反馈 宽带 
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