MSM光电探测器

作品数：19被引量：30H指数：3
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具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟
《半导体光电》1998年第1期12-15,共4页覃化 史常忻 王森章 
国家自然科学资助
无势垒增强型的金属—半导体—金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）已有过理论分析［１］，而对具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭ－ＰＤ则缺乏理论分析。文章将具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭＰＤ简化为一维模型，并通过理论分析，...
关键词：光电器件 探测器 肖特基势垒 势垒增强层 
GaAs　MSM光电探测器暗电流特性被引量：2
《半导体光电》1995年第4期336-338,342,共4页王庆康 冯胜 
国家自然科学基金;上海交通大学科技基金
据根金属─半导体─金属（ＭＳＭ）光电探测器内的能带结构以及热电子发射与扩散理论相结合的模型，导出了ＭＳＭ光电探测器暗电流的计算公式，并用数值计算方法分析了不同距离（Ｌ）和不同掺杂浓度（ＮＤ）与暗电流的关系，为设计低暗...
关键词：光电器件 光电二极管 特性测试 暗电流 
MSM光电探测器研究现状
《半导体光电》1994年第3期209-216,共8页谭朝文 
由于金属－半导作－金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）潜在的优点，用于光通信、高速片到片互连，以及光控受到极大关注。文中介绍这种光探测器及其与放大器单片集成的最新进展。
关键词：金属 半导体 光电子集成电路 光电探测器 
GaAs MSM光电探测器中电子渡越时间研究
《半导体光电》1992年第4期367-370,共4页王庆康 史常忻 
根据 GaAs 材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了 GaAs MsM光电探测器电极间电子渡越时间与掺杂浓度 N_D、栅宽 L_g 和工作电压 V 的关系,结果表明,MSM-PD 电极间电子渡越时间存在极小值。对于电极间距离为3.0μm的 MSM-PD,掺...
关键词：MSM 光电探测器 电子渡越时间 
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