表面钝化

作品数：241被引量：469H指数：8
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氢化非晶硅叠层薄膜对单晶硅表面钝化研究被引量：4
《光子学报》2021年第3期194-200,共7页丁月珂 黄仕华 
国家重点研究发展计划(No.2018YFB1500102);浙江省重点研发计划(No.2021C01006)。
采用等离子体增强化学气相沉积法生长的单层本征氢化非晶硅薄膜对单晶硅片进行钝化,结果表明增加氢稀释比有利于减少薄膜中的缺陷,增强钝化效果,过量的氢稀释比会导致非晶硅在硅片表面的外延晶化生长,降低钝化效果。退火导致非晶硅晶化...
关键词：太阳能电池 钝化 等离子体增强化学沉积 单晶硅 非晶硅叠层 氢稀释 少子寿命 
基于表面等离激元共振效应及表面钝化提高异质结太阳电池效率的研究
《半导体光电》2016年第5期622-626,659,共6页吴涛 徐岭 陆荣华 
国家自然科学基金项目(61376004;61571221);国家"973"计划项目(2013CB632101)
基于硅纳米孔(SiNHs)/银纳米颗粒(AgNPs)纳米复合薄膜制备了无机/有机物混合太阳电池,并且研究它们的光吸收谱和光电转换等性能。SiNHs/AgNPs纳米复合薄膜利用金属辅助化学刻蚀方法获得,然后在制备好的薄膜上旋涂一层有机聚合物PEDOT∶...
关键词：SiNHs/AgNPs纳米复合薄膜 混合太阳电池 局域表面等离激元共振(LSPR) 表面钝化 外量子效率 
具有优异发光性能的钙钛矿量子点研究进展被引量：7
《半导体技术》2016年第4期249-260,共12页刘翔凯 李泽华 张发焕 皮孝东 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2013CB632101)
在种类繁多的量子点中,基于钙钛矿结构的量子点以其优异的发光性能,如发光效率高和发光谱线窄,受到了人们极大的关注。有机-无机杂化的CH_3NH_3PbX_3(X=Cl,Br,I)和全无机的CsPbX_3(X=Cl,Br,I)是当前重点研究的钙钛矿量子点。详细介绍了...
关键词：钙钛矿量子点 光致发光 表面钝化 发光二极管(LED) 外量子效率(EQE) 
不同形貌的金字塔结构对硅片表面钝化和异质结太阳电池的影响被引量：4
《物理化学学报》2014年第9期1758-1763,共6页王利果 张晓丹 王奉友 王宁 姜元建 郝秋艳 许盛之 魏长春 赵颖 
国家重点基础研究发展规划项目(973)(2011CBA00706;2011CBA00707);天津市重大科技支撑计划项目(11TXSYGX22100);高等学校博士学科点专项科研基金(20120031110039)资助~~
在晶体硅表面沉积本征非晶硅层的异质结(SHJ)太阳电池以其高效率、高稳定性、低成本和低温制备等诸多优势被人们广泛关注.在晶体硅衬底表面制绒,是提高太阳电池效率的有效途径之一.本文采用四甲基氢氧化铵(TMAH)在硅片表面制备了不同形...
关键词：制绒 金字塔形貌 反射率 少子寿命 钝化 异质结电池 
Al_2O_3对晶硅电池的表面钝化研究
《太阳能学报》2014年第3期492-497,共6页孟彦龙 贾锐 孙昀 王仕建 邢钊 丁武昌 李昊峰 陈晨 孙兵 李尚卿 
国家自然科学基金(11104319;51172268);国家重点基础研究发展(973)计划(2009CB939703);中科院太阳能行动计划
采用原子层沉积(Atomic layer Deposition,ALD)工艺制备了Al2O3,并对晶硅电池的表面进行钝化。通过与采用传统热氧化SiO2钝化的p型晶硅电池相比较,采用Al2O3钝化后晶硅太阳电池开路电压可提高5%。在未经制绒处理的情况下,短路电流可提高...
关键词：太阳电池 AL2O3 表面钝化 
细菌-矿物接触/非接触模式下黄铜矿浸出溶解行为被引量：5
《中南大学学报（自然科学版）》2011年第8期2167-2172,共6页顾帼华 郭玉武 
国家自然科学基金资助项目(50621063);国家重点基础研究发展计划("973"计划)项目(2010CB630903)
研究细菌-矿物接触模式及利用透析袋将细菌和矿物隔离的非接触模式下嗜酸氧化亚铁硫杆菌对黄铜矿浸出溶解的影响,并对黄铜矿浸出过程表面钝化的原因进行分析。研究结果表明:在细菌-矿物接触模式下,黄铜矿的浸出行为包括细菌对黄铜矿表...
关键词：黄铜矿 嗜酸氧化亚铁硫杆菌 表面钝化 浸出机理 
AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究(英文)被引量：1
《西安电子科技大学学报》2008年第1期125-128,共4页岳远征 郝跃 张进城 冯倩 
国家重大基础研究(973)资助(51327020301)
通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究.AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得.文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后直流电流崩塌明显减少,仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲...
关键词：高电子迁移率晶体管 钝化 电流崩塌 
表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性被引量：2
《物理学报》2006年第3期1402-1406,共5页张开骁 陈敦军 沈波 陶亚奇 吴小山 徐金 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683);国家自然科学基金(批准号:60406002;60325413;60136020);江苏省自然科学基金(批准号:BK2003411);国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2002AA305304)资助的课题.~~
用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质结,当测试温度高于523K时,Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层开始出现应变弛豫;钝化后,在...
关键词：Al0.22Ga0.78N/GaN异质结 应变 Si3N4钝化 高温XRD 
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