波段宽带

作品数:128被引量:265H指数:7
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相关作者:王天枢吴文张鹏周以国姚舜更多>>
相关机构:电子科技大学东南大学南京理工大学中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
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Ku波段宽带GaN固态功率放大器被引量:3
《固体电子学研究与进展》2018年第3期173-177,共5页喻先卫 王仁军 韩煦 徐建华 成海峰 
研制了一种高合成密度、高合成效率的Ku频段(12~17GHz)功率合成网络。基于该合成结构,采用南京电子器件研究所自主研制的高性能Ku波段GaN固态功率器件进行32路功率合成,实现了12~17GHz频带内600 W以上的功率输出及20%的功率附加效率,合...
关键词:GAN 宽带 合成 大功率 高效率 
X波段宽带单片低噪声放大器被引量:15
《固体电子学研究与进展》2005年第2期211-214,共4页李芹 王志功 熊明珍 夏春晓 
从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9~14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9~14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在...
关键词:低噪声放大器 负反馈 噪声系数 
用于X波段宽带VCO的体效应管芯研制成功
《固体电子学研究与进展》1992年第3期265-265,共1页盛永喜 
研制了一种以渡越畴模式工作的连续波体效应二极管管芯,管芯为n^+-n-n^(++)GaAs台式镀金热沉结构。在设计研制中特别考虑了:(1)正确选择并严格控制管芯工作的中心频率;(2)设计工作电压于负微分电导较大区域;(3)准确控制工作电流;(4)控...
关键词:二极管 管芯 X波段 宽带 体效应 
X波段宽带GaAs单片压控振荡器
《固体电子学研究与进展》1992年第2期181-181,共1页梁波 
为了适应宽带微波系统和整机小型化的要求,南京电子器件研究所进行了宽带GaAs MMIC VCO的基础研究工作。 在原工作的基础上,将源串联的固定反馈电容C_F用变容管代替,这样变容管不仅能起到反馈的作用,同时通过改变其外加偏压,还可达到增...
关键词:振荡器 单片 GAAS X波段 宽带 
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