掺氧多晶硅

作品数：6被引量：6H指数：2
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掺氧多晶硅(SIPOS)薄膜结晶学性质研究
《固体电子学研究与进展》1990年第4期364-368,共5页潘尧令 王云珍 王济身 
本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8～37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中...
关键词：掺氧多晶硅 薄膜 结晶学 硅 
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