长波光导

作品数：10被引量：30H指数：3
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相关作者：龚海梅袁红辉朱惜辰徐勤飞吴礼刚更多>>
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非均匀性校正的长波光导探测器读出电路设计被引量：6
《红外与激光工程》2018年第1期105-110,共6页钟燕平 袁红辉 鞠国豪 
中国科学院微小卫星重点实验室开放课题基金(KTKT16-03)
在航天遥感领域,波长在10μm以上的长波探测器仍以Hg Cd Te光导型探测器为主,在红外探测成像方面发挥着重要作用。非均匀性是目前长波光导探测器突出的问题之一,设计了一种数模混合的非均匀性校正的长波光导探测器读出电路。该电路不仅...
关键词：非均匀性校正 长波光导 红外探测器 读出电路 
碲镉汞长波光导红外探测器的侧面钝化研究被引量：1
《红外与激光工程》2007年第z1期50-53,共4页徐勤飞 唐恒敬 龚海梅 
为了解决小光敏元器件由于裸露在外的侧面占的比例大,易发生Hg溢出,对器件性能影响大的问题,在芯片制备过程中采用先刻蚀图形,再进行表面和侧面阳极氧化的工艺,制备了器件.利用SEM对芯片的侧面钝化效果进行了表征,并对器件进行了真空热...
关键词：侧面钝化 小光敏元红外探测器 碲镉汞 
长波光导HgCdTe红外探测器的可靠性被引量：8
《红外与激光工程》2006年第3期289-293,共5页刘大福 吴礼刚 徐国森 龚海梅 
从真空热浸和电流冲击两个方面对碲镉汞红外探测器进行了研究。真空热浸在星载红外探测器中是十分重要的一项试验,通过研究得到大面积甚长波探测器芯片的耐真空热浸温度为85℃、95℃下39 h的热浸会降低探测器的性能;在电流冲击的实验中...
关键词：碲镉汞 红外探测器 可靠性 真空热浸 电流冲击 
电流冲击对长波光导MCT探测器的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期314-317,共4页刘大福 吴礼刚 徐国森 章连妹 靳秀芳 龚海梅 
对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测...
关键词：电流冲击 MCT 光导探测器 响应光谱 少子寿命 
激光辐照对HgCdTe长波光导探测器性能的影响被引量：8
《激光与红外》2001年第4期234-235,共2页朱克学 张赟 李向阳 龚海梅 方家熊 
对 Hg Cd Te长波光导探测器进行了变功率激光辐照 ,对激光辐照前后的探测器性能进行了测试。结果表明在受到功率高于暂时损伤阈值但低于永久损伤阈值的激光辐照后 ,探测器性能有较大的下降。
关键词：激光辐照 HGCDTE光导探测器 红外探测器 
长波光导HgCdTe探测器芯片钝化研究
《激光与红外》1998年第3期180-182,共3页盛海云 贾宝军 孙海燕 王官俊 
在长波光导碲镉汞器件研制过程中，表面钝化是不可缺少的一个重要环节。在早期，表面钝化只进行阳极氧化处理。通过阳极氧化加ＺｎＳ复合钝化实验，得到了比较可靠的表面钝化层，并制造出了高性能、耐高温环境试验的实用化探测器芯片，...
关键词：阳极氧化 复合钝化 光导 探测器 芯片 
105K工作温度的多元长波光导碲镉汞探测器被引量：1
《红外与激光工程》1997年第5期7-11,共5页程开芳 杨雄超 
文章报道了空间多光谱扫描仪红外波段多元光导碲镉汞探测器的研制与优值。重点研究并解决了多元器件光谱曲线不一致性的问题，简述了器件的优值波段响应率RΔλ1，波段探测率DΔλ和单色响应率Rλ的测试定标方法，以及器件按空间环境使...
关键词：碲镉汞探测器 光谱响应 红外探测器 
长波光导HgCdTe探测器的输运特性被引量：3
《红外与毫米波学报》1996年第2期118-122,共5页蔡毅 郑国珍 朱惜辰 郭少令 汤定元 
测量了长波光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器在１．２～３００Ｋ的电阻率－温度（Ｒ－Ｔ）特性，结果表明：高性能和低性能探测元的Ｒ－Ｔ特性明显不同，前者有与正常ＨｇＣｄＴｅ材料Ｒ－Ｔ关系相似的变化规律，后者则与简并ＨｇＣｄＴｅ材...
关键词：HGCDTE 光导探测器 输运特性 
长波光导60元碲镉汞红外探测器通用组件被引量：3
《红外技术》1996年第1期1-5,共5页朱惜辰 梁宏林 杨文运 
报道了工程化长波光导６０无碲镉汞红外探测器组件研制的结果，该组件由探测器芯片、杜瓦和制冷器组成。探测器组件的主要指标达到：ＤＢ＝１．７×１Ｏ１０ＣｍＨｚ１／２／ＷＶＢ＝１６×１０４Ｖ／Ｗ。组件的体积小，重量轻，并达到...
关键词：碲镉汞 长波光导 红外探测器 工程化组件 
室温长波光导探测器研究
《红外研究》1990年第1期1-6,共6页Jozef Piotrowski 
从理论和实验上详细研究了室温长波HgCdTe光导探测器,提出了室温光导半导体的广义优值,计算了10.6μm HgCdTe探测器的优值和极限性能与组分和掺杂的关系。用HgCdTe外延层制作了光导探测器,描述了它的性能。结果表明10.6μm室温光导探测...
关键词：HGCDTE 室温光导探测器 优值 极限性能 碲镉汞 
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