梁宏林

作品数：11被引量：25H指数：3
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多元光导HgCdTe探测器均匀性的评价被引量：1
《红外技术》1998年第1期5-8,共4页蔡毅 梁宏林 姚英 朱惜辰 顾伯奇 
讨论了多元光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器性能参数的均匀性评价问题，对器件性能的测量数据进行了分析。认为在某种探测器规范的条件限制下，多元光导ＨｇＣｄＴｅ探测器探测元的性能参数分布不满足Ｇａｕｓｓ分布，因而用标准偏差来衡量...
关键词：碲镉汞 光导探测器 多元器件 红外光学材料 
长波HgCdTe光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算被引量：1
《红外技术》1997年第2期1-2,共2页蔡毅 姚英 梁宏林 
研究了长波ＨｇＣｄＴｅ光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算问题。结果表明：制成器件后，表面电导、材料电导率的变化和背景辐射都将使器件液氮温度的电阻减小，进行这三项修正后。
关键词：光导探测器 器件电阻 碲镉汞 液氮温度电阻 
多元光导碲镉汞探测器的电串音被引量：5
《红外与毫米波学报》1997年第1期77-80,共4页梁宏林 蔡毅 姚英 
讨论了一个多元光导碲镉汞探测器电串音的物理模型，理论计算表明，探测元电串音的大小为（Ｎ－１）Ｒｅ／Ｒｂ。
关键词：碲镉汞 光导探测器 多元线列 电串音 热像仪 
背景辐射对光导HgCdTe探测器电阻的影响
《红外技术》1997年第1期1-5,共5页姚英 蔡毅 梁宏林 
测量了室温和液氮背景辐射条件下长波光导ＨｇＣｄＴｅ探测器的电阻，从电阻的变化研究了背景辐射对器件电阻的影响，结果表明：在高性能探测器中，室温背景辐射造成探测器电阻的相对变化量约为１０％，而且。
关键词：光导探测器 器件电阻 背景辐射 
变温长波碲镉汞光电导现象研究被引量：3
《红外与毫米波学报》1996年第3期189-194,共6页郑为建 朱惜辰 梁宏林 保红珍 
报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｄ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数据．实测小芯片载流子浓度ｎ≈１．８×１０１５ｃｍ－３，这与高性能器...
关键词：HGCDTE 光电导 背景辐射 光电子学 
光导HgCdTe探测器电阻和性能的关系被引量：2
《红外与毫米波学报》1996年第3期195-198,共4页姚英 梁宏林 
为描述光导ＨｇＣｄＴｅ探测器低温与室温不同的导电机构，本文定义了一个易于测量的参数γ——液氮温度与室温电阻之比．实验结果表明：多数情况下。
关键词：HGCDTE 光导探测器 器件电阻 红外探测 
长波光导60元碲镉汞红外探测器通用组件被引量：3
《红外技术》1996年第1期1-5,共5页朱惜辰 梁宏林 杨文运 
报道了工程化长波光导６０无碲镉汞红外探测器组件研制的结果，该组件由探测器芯片、杜瓦和制冷器组成。探测器组件的主要指标达到：ＤＢ＝１．７×１Ｏ１０ＣｍＨｚ１／２／ＷＶＢ＝１６×１０４Ｖ／Ｗ。组件的体积小，重量轻，并达到...
关键词：碲镉汞 长波光导 红外探测器 工程化组件 
用于HgCdTe器件同步辐射形貌相的计算机图象处理系统
《红外与激光技术》1995年第6期6-8,37,共4页姚英 梁宏林 蔡毅 
根据研究ＨｇＣｄＴｅ材料和器件中晶格缺陷同步辐射白光形貌相的需要，建立了处理形貌相的计算机图象处理系统。本文叙述了该系统的工作原理和构成，利用此系统可把１ｍｍ×１ｍｍＨｇＣｄＴｅ器件的同步辐射Ｌａｕｅ斑放大３．５～６...
关键词：计算机图象处理 GgCdTe器件 同步辐射形貌相 
磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤被引量：8
《红外技术》1994年第5期15-20,共6页姚英 蔡毅 欧明娣 梁宏林 朱惜辰 
用Ｘ射线反射形貌术研究了磨抛工艺在用Ｔｅ溶剂法和布里奇曼法生长的碲镉汞晶片表面引入的损伤，发现精磨精抛的ＨｇＣｄＴｅ晶片表面的损伤结构与切割、粗磨造成的损伤结构明显不同。根据实验结果分析，认为机械划痕是精磨精抛过程中...
关键词：红外探测器 HgCdTe晶片 表面损伤 磨抛工艺 
光导器件及其背景限探测度被引量：2
《红外技术》1994年第5期1-5,共5页梁宏林 朱惜辰 
本文就ＭＣＴ光导型探测器作一总结性的讨论，对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述，并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解，认为背景限探测度不是不可逾越。
关键词：红外探测器 光导器件 背景 限探测度 
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