姚英

作品数：13被引量：29H指数：3
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环孔工艺的碲镉汞长波红外576×6焦平面探测器组件被引量：2
《红外与毫米波学报》2008年第6期417-420,共4页姚英 庄继胜 邹继鑫 姬荣斌 朱颖峰 陈晓屏 范宏波 蔡毅 
碲镉汞长波红外576×6焦平面探测器组件是高性能热像仪的核心组件.本文中作者完成了碲镉汞长波红外576×6焦平面探测器组件的设计,利用环孔技术制备出576×6焦平面探测器芯片,经过杜瓦封装、配斯特林制冷机后成为实用的探测器组件.性能...
关键词：环孔技术 碲镉汞 长波红外 576×6焦平面探测器组件 
P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析被引量：2
《红外技术》2007年第2期71-75,共5页姚英 
国防预研基金项目
从微观理论对P型HgCdTe离子刻蚀成结的过程、机理进行了分析,提出HgCdTe环孔P-N结的汞原子扩散-补偿模型、P-N结的汞原子扩散-补偿-剩余施主杂质模型,提出并讨论了离子刻蚀技术形成环孔型P-N结和平面型P-N结的汞原子扩散激活能、扩散汞...
关键词：HGCDTE 环孔工艺 离子刻蚀 P-N结 
HgCdTe表面电化学腐蚀方法研究被引量：2
《红外技术》2001年第4期18-21,共4页周芳 田萦 姚英 
对HgCdTe晶片的研磨和抛光 ,不可避免的要在其表面造成可见的机械划痕和不可见的损伤区。表面损伤对探测器的影响很大 ,控制好HgCdTe晶片的表面损伤是制备高性能多元探测器一个重要的工艺环节。在本文中 ,用电化学腐蚀的方法观察到这种...
关键词：HgCdTe晶片 表面损伤 电化学腐蚀 光导探测器 
多元光导HgCdTe探测器均匀性的评价被引量：1
《红外技术》1998年第1期5-8,共4页蔡毅 梁宏林 姚英 朱惜辰 顾伯奇 
讨论了多元光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器性能参数的均匀性评价问题，对器件性能的测量数据进行了分析。认为在某种探测器规范的条件限制下，多元光导ＨｇＣｄＴｅ探测器探测元的性能参数分布不满足Ｇａｕｓｓ分布，因而用标准偏差来衡量...
关键词：碲镉汞 光导探测器 多元器件 红外光学材料 
长波HgCdTe光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算被引量：1
《红外技术》1997年第2期1-2,共2页蔡毅 姚英 梁宏林 
研究了长波ＨｇＣｄＴｅ光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算问题。结果表明：制成器件后，表面电导、材料电导率的变化和背景辐射都将使器件液氮温度的电阻减小，进行这三项修正后。
关键词：光导探测器 器件电阻 碲镉汞 液氮温度电阻 
多元光导碲镉汞探测器的电串音被引量：5
《红外与毫米波学报》1997年第1期77-80,共4页梁宏林 蔡毅 姚英 
讨论了一个多元光导碲镉汞探测器电串音的物理模型，理论计算表明，探测元电串音的大小为（Ｎ－１）Ｒｅ／Ｒｂ。
关键词：碲镉汞 光导探测器 多元线列 电串音 热像仪 
背景辐射对光导HgCdTe探测器电阻的影响
《红外技术》1997年第1期1-5,共5页姚英 蔡毅 梁宏林 
测量了室温和液氮背景辐射条件下长波光导ＨｇＣｄＴｅ探测器的电阻，从电阻的变化研究了背景辐射对器件电阻的影响，结果表明：在高性能探测器中，室温背景辐射造成探测器电阻的相对变化量约为１０％，而且。
关键词：光导探测器 器件电阻 背景辐射 
光导HgCdTe探测器电阻和性能的关系被引量：2
《红外与毫米波学报》1996年第3期195-198,共4页姚英 梁宏林 
为描述光导ＨｇＣｄＴｅ探测器低温与室温不同的导电机构，本文定义了一个易于测量的参数γ——液氮温度与室温电阻之比．实验结果表明：多数情况下。
关键词：HGCDTE 光导探测器 器件电阻 红外探测 
用于HgCdTe器件同步辐射形貌相的计算机图象处理系统
《红外与激光技术》1995年第6期6-8,37,共4页姚英 梁宏林 蔡毅 
根据研究ＨｇＣｄＴｅ材料和器件中晶格缺陷同步辐射白光形貌相的需要，建立了处理形貌相的计算机图象处理系统。本文叙述了该系统的工作原理和构成，利用此系统可把１ｍｍ×１ｍｍＨｇＣｄＴｅ器件的同步辐射Ｌａｕｅ斑放大３．５～６...
关键词：计算机图象处理 GgCdTe器件 同步辐射形貌相 
碲镉汞晶片表面加工损伤的电化学腐蚀观察方法被引量：2
《红外与激光技术》1995年第2期30-34,共5页姚英 
本文报道一种新的观察碲镉汞（ＣＭＴ）晶片表面加工损伤的方法──电化学腐蚀法。文中讨论了电化学腐蚀法的原理，给出了实验结果。实验表明：机械磨抛的ＣＭＴ晶片表面的加工损伤可用电化学腐蚀法清楚地揭示出来；磨抛产生的机械划痕...
关键词：碲镉汞 表面加工损伤 电化学腐蚀 晶片 
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