超低介电常数

作品数：26被引量：45H指数：4
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：苏和平唐莹李纯纯方亮段炼更多>>
相关机构：桂林理工大学上海华力微电子有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司三峡大学更多>>
相关期刊：《绝缘材料》《新材料产业》《半导体技术》《硅酸盐学报》更多>>
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超低介电常数的多孔F-pSiCOH薄膜制备及其紫外固化处理
《化工新型材料》2024年第S01期128-131,142,共5页陈云 
江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ212008)。
面向高性能集成电路可靠性设计要求之下,开展以硅集成电路(IC)三维集成器件超低介电常数的介电薄膜研究。采用化学气相沉积法制备了一种超低介电常数(k)值的多孔F-pSiCOH薄膜。利用傅里叶变换红外光谱测定了多孔F-pSiCOH薄膜的化学结构...
关键词：硅集成电路 低介电常数介电材料 多孔SiCOH薄膜 紫外固化 
高温水热合成具有超低介电常数的规则介孔氧化硅材料被引量：7
《高等学校化学学报》2012年第9期1908-1914,共7页刘福建 韩冰 曹洋 邹永存 孟祥举 肖丰收 
国家自然科学基金(批准号:20973079)资助
分别以高分子三嵌段共聚物P123(PEO20-PPO70-PEO20)和F127(PEO106-PPO70-PEO106)为模板剂,通过高温水热法制备了具有超低介电常数的规则介孔氧化硅材料(OMSs).当合成温度达到200℃时,得到的产物仍可保持规则的介孔结构.X射线衍射和氮气...
关键词：规则介孔材料 高温合成 氧化硅 介电常数 缩合度 
超低介电常数介孔氧化硅薄膜的制备及其表征被引量：1
《无机化学学报》2007年第9期1587-1592,共6页袁昊 李庆华 沙菲 解丽丽 田震 王利军 
上海"浦江人才"计划(NO.05PG14051);国家自然科学基金青年基金(NO.50503011);上海教委重点基金(NO.06ZZ95);上海市重点学科项目(NO.P1701)。
研究了以正硅酸乙酯(TEOS)和甲基三乙氧基硅烷(MeSi(OEt)_3)为混合硅源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,采取旋涂技术,在硅晶片表面制备出二氧化硅透明薄膜,再经过正硅酸乙酯(TEOS)蒸汽孔壁强化后采用线性升温焙烧法脱除薄膜孔道...
关键词：TEOS蒸汽 甲基化 介孔氧化硅薄膜 超低介电常数 
纳米多孔SiO_2薄膜疏水性的研究进展被引量：5
《材料导报》2005年第11期39-42,共4页高庆福 冯坚 成慧梅 周仲承 王娟 张长瑞 
"十五"武器装备预研(41312040307)资助项目
超低介电常数纳米多孔 SiO_2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在 ULSI 中应用的重要因素之一。介绍了国内外有关纳米多孔 SiO_2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法。
关键词：纳米多孔 SIO2薄膜 疏水处理 接触角 低介电常数 疏水性能 超大规模集成电路 超低介电常数 ULSI 表征方法 
超低介电常数纳米多孔SiO_2薄膜制备技术进展被引量：4
《硅酸盐学报》2003年第9期878-882,共5页甄聪棉 刘雪芹 何志巍 兰伟 王印月 
国家自然科学基金(50272027)
纳米多孔SiO_2薄膜具有超低的介电常数,作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力。文中概述了纳米多孔SiO_2薄膜的孔隙度与介电常数的关系,指出所有模型均位于串联和并联模型之间,介电常数均随孔隙度的增加而下降。...
关键词：超低介电常数 纳米多孔SiO2薄膜 旋转涂覆 综述 
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