超低压

作品数:214被引量:401H指数:8
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一种基于衬底驱动技术的0.8V高性能CMOS OTA被引量:1
《电子器件》2006年第2期344-347,共4页张海军 朱樟明 杨银堂 张宝君 
国家自然科学基金资助(60476046;90207022);国家部委基金资助(51408010304DZ0140)
基于衬底驱动MOS技术。设计了一种0.8V COMS跨导运算放大器(OTA),在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益。在±0.4v的电源电压下,其直流开环增益为73....
关键词:衬底驱动 超低压 跨导运算放大器 CMOS 低功耗 
一种基于准浮栅技术的超低压折叠运算放大器设计
《电子器件》2006年第1期33-36,共4页张宝君 杨银堂 朱樟明 张海军 
国家自然科学基金资助(60476046;90207022);国家部委基金资助(51408010304DZ0140)
介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电...
关键词:准浮栅 超低压 运算放大器 CMOS 
基于准浮栅技术的超低压运放及滤波器设计
《电子器件》2005年第4期733-735,739,共4页朱樟明 杨银堂 任乐宁 
国家自然科学基金项目资助(60476046);国家预研基金资助(51408010601DZ01)
准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路的系统采用TSMC 0.25μm 2P5M CMOS工艺的CMOS准浮栅技术,提出了0.8 V运算放大器,最大直流开环增益可以达到76.3 dB,相位裕度为75°,单位增益频率为1.0 5 MHz.设计了0.8 V一阶CMOS开关电...
关键词:CMOS 准浮栅 超低电压 运放 模拟开关 滤波器 
超低压CMOS混频器比较设计及特性分析被引量:1
《电子器件》2005年第1期114-117,121,共5页魏莹辉 朱樟明 杨银堂 
讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和 CMOS准浮栅技术的两种超低压 CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析。在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的...
关键词:超低压 准浮栅 衬底驱动 混频器 转换增益 频域特性 
一种基于衬底驱动MOS技术的超低压运算放大器被引量:2
《电子器件》2004年第4期618-621,共4页尹韬 杨银堂 汪家友 朱樟明 
国家自然科学基金项目 ( 90 2 0 70 2 2 )资助
设计了一种工作于 0 .8V电源电压下与标准 CMOS工艺兼容的超低压运算放大器 ,对其电路结构和原理进行了分析。该放大器基于衬底驱动技术 ,采用衬底驱动 PMOS差分对作为输入级实现了 74d B的直流开环增益 ,66°的相位裕度 ,940μV的失调...
关键词:超低压 衬底驱动 运算放大器 CMOS 
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