超辐射发光二极管

作品数：131被引量：218H指数：8
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低纹波超辐射发光二极管的增透膜研制被引量：1
《中国激光》2023年第13期26-35,共10页游道明 谭满清 郭小峰 郭文涛 曹营春 陈文彬 
国家电网公司科技项目(5700-202058482A-0-0-00)。
纹波系数是超辐射发光二极管(SLD)的关键指标,增透薄膜被用于降低纹波系数。基于平面波方法的增透膜设计得到广泛应用,然而倾斜腔面SLD中增透膜的性能普遍不佳,使用时域有限差分方法进行分析,发现存在反射曲线偏离和反射率高等问题。优...
关键词：薄膜 超辐射发光二极管 增透膜 倾斜腔面 优化设计 纹波系数 
高速小型化光量子随机数发生器被引量：8
《中国激光》2018年第5期280-287,共8页魏世海 樊矾 杨杰 黄伟 何远杭 李大双 徐兵杰 
国家自然科学基金(61771439;61501414;61702469;61602045);国家密码发展基金(MMJJ20170120);四川省青年科技基金(2017JQ0045);保密通信重点实验室基金(6142103040105)
利用超辐射发光二极管的放大自发辐射噪声作为量子随机熵源,设计并实现了一种高速小型化光量子随机数发生器(QRNG)。为减小经典噪声及不完美器件对随机性带来的影响,基于对量子熵源的最小熵估计,在现场可编程门阵列中,对每次采集序列的...
关键词：量子光学 量子随机数发生器 小型化 超辐射发光二极管 放大自发辐射 
利用有源多模干涉器提高InGaN超辐射发光二极管的输出功率被引量：1
《中国激光》2014年第6期293-296,共4页臧志刚 余健辉 张军 陈哲 
广东省战略新兴产业专项资金LED产业项目资助(2012A080302004);广东省战略性新兴产业核心技术攻关项目资助(2012A080301002)
为了提高InGaN超辐射发光二极管(SLED)的输出功率,采用有源多模干涉器(Active-MMI)作为管芯结构制作了Active-MMI SLED。由于有源区注入电流抽运面积的增加,提高了器件的增益饱和水平。实验结果表明,Active-MMI SLED的最大输出功率达到...
关键词：光学器件 超辐射发光二极管 有源多模干涉器 高功率 
60W全光纤结构宽带超荧光光源被引量：3
《中国激光》2011年第5期8-8,共1页刘江 王璞 
超荧光是介于激光与荧光之间的一种过渡状态，是放大的自发辐射（ASE）。基于稀土掺杂光纤的宽带超荧光光源与传统的超辐射发光二极管（SDL）光源相比，超荧光光源具有输出功率高、荧光谱线宽、使用寿命长等优点；
关键词：超荧光光源 全光纤结构 宽带 超辐射发光二极管 放大的自发辐射 稀土掺杂光纤 过渡状态 输出功率 
高功率850nm宽光谱大光腔超辐射发光二极管被引量：6
《中国激光》2006年第5期613-616,共4页李辉 王玉霞 李梅 张晶 曲轶 高欣 薄报学 刘国军 
国家自然科学基金(60476026;60477010);高功率半导体激光国家重点实验室基金(03ZS3603;04ZS3601);吉林省科技厅基础项目(20040537-1)资助课题
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低...
关键词：量子光学 超辐射发光二极管 非均匀阱宽多量子阱 
1．3μm　InGaAsP／InP超辐射发光二极管的低频光、电噪声研究被引量：3
《中国激光》1996年第9期785-790,共6页马东阁 石家纬 金恩顺 刘明大 李淑文 高鼎三 
国家教委博士点基金;集成光电子学国家重点实验室开放课题资助
给出了研制的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结果表明．超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声有相关性．其噪声大小与...
关键词：发光二极管 光噪声 电噪声 INGAASP/INP 
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