超宽带放大器

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DC~70 GHz GaAs超宽带放大器MMIC
《半导体技术》2023年第4期318-323,共6页冯晓冬 何美林 冯彬 柳林 刘亚男 
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款DC~70 GHz超宽带放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用6级共源共栅结构,拓展了超宽带放大器MMIC的带宽,提高了其增益。在共源共栅PHEMT之间引入一条调谐微带线作为调谐电感,...
关键词：GAAS 单片微波集成电路(MMIC) 超宽带(UWB) 放大器 共源共栅 
5~20GHz具有正斜率增益的超宽带放大器
《半导体技术》2022年第9期732-736,754,共6页蔡晓波 汪粲星 张浩 
在宽带相控阵系统中,随着频率的增加,开关、移相器、衰减器等无源元件的插入损耗随着频率增加而增大,即具有负斜率增益。无源元件的负斜率增益特性使得宽带相控阵系统的增益不平坦。针对这个问题,提出了一款5~20 GHz具有正斜率增益的超...
关键词：分布式放大器 超宽带 正斜率增益 锗硅(SiGe) 相控阵 
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