超深亚微米工艺

作品数：12被引量：25H指数：3
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
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超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型被引量：2
《微纳电子技术》2006年第4期203-208,共6页段成华 柳美莲 
国家863计划项目(2002AA141041)
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的...
关键词：模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型 反型系数 短沟道效应 中间反型区 
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