串联电阻

作品数：235被引量：514H指数：11
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一种测量RTD串联电阻的新方法被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第5期950-953,共4页郭维廉 宋瑞良 王伟 于欣 牛萍娟 毛陆虹 张世林 梁惠来 
超高速专用集成电路重点实验室基金(批准号:51432010204Jw1401);国家自然科学基金(批准号:NSFC60536030)资助项目~~
根据RTD峰值电压Vp与串联电阻RS、外加电阻Rex的关系,提出一种新的测量RTD串联电阻RS的方法.实验证明该方法具有准确、简便、快速等特点.文中给出Vp与RS,Rex关系的推导,RS测量原理、测量结果和与其他RS测量方法的比较.
关键词：RTD参数 串联电阻的测量方法 RTD器件性能表征 
多电流路径抑制片上电感电流拥挤效应被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1690-1694,共5页刘珂 菅洪彦 黄晨灵 唐长文 闵昊 
从电磁理论出发解释了片上电感电流分配的原因,得出小横界面积金属的趋肤效应弱,大的金属线宽和相邻金属间距比的偶耦合临近效应小的结论.采用4层金属的0.35μm标准CMOS工艺制造片上电感,将差分电感的单电流路径,分成多电流路径并联,在...
关键词：片上电感 品质因数 趋肤效应 临近效应 多电流路径 自谐振频率 串联电阻 寄生电容 
氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析被引量：4
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1459-1463,共5页佟存柱 韩勤 彭红玲 牛智川 吴荣汉 
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312080);国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036603);国家自然科学基金(批准号:60137020)资助项目~~
含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻...
关键词：垂直腔面发射激光器 氧化孔 串联电阻 阈值电流 
考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1296-1300,共5页郜锦侠 张义门 张玉明 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 760 47)~~
在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .
关键词：6H—SiC PMOSFET 源漏串联电阻 解析模型 
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