垂直腔面发射半导体激光器

作品数：45被引量：143H指数：8
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王立军宁永强秦莉张星刘云更多>>
相关机构：长春理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院北京工业大学更多>>
相关期刊：《光学精密工程》《兵工学报》《半导体光电》《量子电子学报》更多>>
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808nm网状电极高功率垂直腔面发射激光器
《半导体光电》2011年第6期781-784,897,共5页冯大伟 袁中朝 冯源 郝永芹 
为改善高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流注入均匀性,提高光束输出质量和器件的输出功率,设计并研制出808nm高功率网状电极VCSEL。将VCSEL P面的注入电极由传统的环形结构改为网状结构并且热沉位于N面电极。实验制备了出光孔径同为50...
关键词：垂直腔面发射半导体激光器 网状电极 高功率 近场发光均匀性 
多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析被引量：5
《半导体光电》2007年第5期651-654,共4页吴文光 范广涵 沈为民 金尚忠 徐时清 
国家科技攻关项目(00-068)
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器...
关键词：垂直腔面发射半导体激光器 多量子阱 阈值电流密度 
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