磁输运

作品数：36被引量：28H指数：3
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磁性薄膜材料中的交换耦合被引量：2
《中国材料进展》2013年第6期321-338,353,共19页刘伟 刘雄华 龚文杰 郭盛 张志东 
国家自然科学基金资助项目(50931006;50971123);科技部973计划项目(2010CB934603)
介绍了在磁性薄膜材料中的交换耦合的研究进展。制备了铁磁/反铁磁/铁磁3层结构不同成分的薄膜。利用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等测试分析技术,系统研究了磁性多层薄膜的相组成、界面及微观结构等。利用超导量...
关键词：磁性交换耦合 交换偏置 磁各向异性 磁输运 磁性多层膜 
Co掺杂非晶C薄膜的低温磁输运特性及磁性能研究(英文)
《稀有金属材料与工程》2012年第11期1887-1890,共4页唐瑞鹤 刘伟 张政军 于荣海 刘晓芳 杨白 水口将辉 高梨弘毅 
National Natural Science Foundation of China(51041010);The Ph.D.Programs Foundation of Ministry of Education of China(20090002110007);the National Basic Research Program of China(2010CB934602)
采用磁控共溅射方法在n型Si(100)基片上制备了一系列具有不同Co含量(x,at%)的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温。研究了Co-C颗粒薄膜的微结构,磁输运特性及磁性能。通过优化Co含量,在低温下发现了较大的负磁电阻(MR)。温度为2K、磁场...
关键词：Co掺杂非晶C薄膜 磁控共溅射 磁输运 磁性能 
LaMn_(1-x)Te_xO_(3+δ)的反常磁输运现象分析
《中国科学（G辑）》2009年第5期641-646,共6页谈国太 陈正豪 
国家重大基础研究计划(编号:G1998061412);北京市优秀人才培养(编号:20071D1100500379)资助项目
通过固体反应法制备出了Mn位Te掺杂氧化物:LaMn1-xTexO3+δ.X光电子能谱测量结果表明Te离子在样品中具有Te4+价态,Mn3+离子因受富氧及Te4+替换影响而部分转变成Mn2+和Mn4+,以致LaMn1-xTexO3系列样品中同时存在Mn2+,Mn3+,Mn4+三种价态,当...
关键词：庞磁电阻效应 La-Mn-Te-O 磁输运 
基于La_(1.4)Ca_(1.6)Mn_2O_7结构、电输运及磁性研究(英文)
《低温物理学报》2009年第2期91-96,共6页陈宣 李兵 田发亮 王晓平 朱弘 
supported by the National Key Basic Research Program (Grant No.2006CB922002);the National Nature Science Foundation of China(Grant No. 10474086)~~
我们制备了名义成分是La1.4Ca1.6Mn2O7的多晶样品,并且研究了它的结构、磁性和电性。利用Rietveld方法对X射线衍射数据进行精修的结果表明,该La1.4Ca1.6Mn2O7是由钙钛矿锰氧化物La0.66Ca0.34MnO3和氧化钙CaO组成的复相混合物。其中,La0....
关键词：双层钙钛矿锰氧化物 磁输运 RIETVELD精修 X射线衍射 
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的自旋性质
《微纳电子技术》2009年第2期65-69,共5页唐宁 沈波 韩奎 
国家重点基础研究发展规划项目(2006CB604908;2006CB921607);国家自然科学基金(60806042;10774001;60736033;60628402);教育部博士点基金(20060001018);北京市自然科学基金(4062017)
Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)自旋性质的物理效应:磁电阻的舒伯尼科夫-德哈斯...
关键词：Ⅲ族氮化物半导体 异质结构 二维电子气 自旋 磁输运 
掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2004年第5期329-332,共4页仇志军 桂永胜 崔利杰 曾一平 黄志明 疏小舟 戴宁 郭少令 禇君浩 
国家重点基础研究项目 ( 2 0 0 1GB3 0 95 0 6);国家自然科学基金项目 ( 60 2 2 15 0 2 ;10 3 740 94)
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率...
关键词：单量子阱 二维电子气 输运 迁移率 载流子 拍频现象 掺杂 电子对 对称 能级 
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