吴灵犀

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：GAASLEC_GAAS半导体材料光致发光研究光致发光谱更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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LEC GaAs中缺陷的光致发光研究
《Journal of Semiconductors》1989年第12期917-923,共7页陈廷杰 吴灵犀 王占国 何宏家 林兰英 
国家自然科学基金
本文用4.2K光致发光研究了LEC GaAs的热感生缺陷.热退火时样品分别为无包封,包封或用一个未掺杂的SI-GaAs片覆盖.退火温度为650-850℃,退火在不同气氛下进行(真空,H_2,N_2,H_2+N_2或H_2+As_2). 与缺陷有关的发光带有1.443eV,1.409ev和0....
关键词：GAAS 缺陷 光致发光 
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光
《Journal of Semiconductors》1981年第3期243-246,共4页于鲲 孟庆惠 李永康 吴灵犀 陈廷杰 徐寿定 
砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一...
关键词：光致发光谱 低温光致发光 汽相外延 GAAS 双光栅单色仪 激发光 
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