成海涛

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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：纳米MOS电容空间电荷区电极衬底更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《传感器与微系统》更多>>
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基于MOS电容衬底压阻的纳米梁检测研究
《传感器与微系统》2011年第12期47-49,53,共4页丁萃 成海涛 杨恒 
传统的纳米谐振器压阻检测在工艺上需解决制备结深浅、掺杂浓度高的薄层电阻的技术难题。基于MOS电容衬底压阻的谐振式纳米梁系统是一种新型的压阻检测方案,它通过将MOS电容耗尽层下的掺杂区用作力敏电阻,回避了制备浅结高浓度电阻的技...
关键词：纳米梁 谐振器 压阻检测 MOS电容 
一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀的制造纳米梁的新方法
《功能材料与器件学报》2010年第2期163-168,共6页成海涛 杨恒 王跃林 
自上而下的微纳制造原理与方法(编号:2006CB300403);国家重点基础研究发展规划(973)项目:自上而下的微纳制造原理与方法(批准号:2006CB300403)资助
常规的通过干法刻蚀制作纳米梁的方法会不可避免地在梁上引入晶格损伤层。本文提出一种制造无晶格损伤层纳米梁的新工艺方法。在常规光刻后,辅助利用FIB(聚焦离子束)刻蚀修改硅梁中部上方的SiO2掩模。根据单晶硅的材料和工艺特点,通过KO...
关键词：纳米梁 各向异性腐蚀 FIB 
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