邵丽

作品数：4被引量：5H指数：2
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供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文主题：电化学腐蚀插入损耗共平面波导硅PACC更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《红外与毫米波学报》更多>>
所获基金：“上海－应用材料研究与发展”基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线被引量：1
《红外与毫米波学报》2004年第5期357-359,共3页葛羽屏 郭方敏 王伟明 徐欣 游淑珍 邵丽 于绍欣 朱自强 陆卫 
国家 973集成微光机电系统研究 (G19990 3 3 10 5 ) ;国家自然科学基金 ( 69975 40 9;10 3 740 95 );上海应用材料研究与发展基金项目 ( 0 3 0 6)
在厚膜多孔硅 (PS) /氧化多孔硅 (OPS)衬底上 ,结合聚酰亚胺涂层改善表面 ,研制低损耗、高性能射频 (RF) /微波 (MW)共平面波导CPW(CoplanarWaveguide) .通过在N和P型硅上形成不同厚度PS膜 ,并对其上的CPW进行分析比较 ,厚膜PS与石英的...
关键词：共平面波导 硅衬底 厚膜 插入损耗 传输线 CPW 高阻硅 GH 微波 射频 
硼离子选择注入制备多孔硅微阵列被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第7期819-822,共4页陈少强 邵丽 王伟明 朱建中 朱自强 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 3 6;6992 5 40 9);上海应用材料基金与发展基金 (批准号 :0 2 0 2 )资助项目~~
根据 p型硅和 n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件 ,利用硼离子选择注入 ,在 n型硅片上的局部微区域 ,形成易于腐蚀的 p型硅 ,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列 .省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩...
关键词：多孔硅微阵列 选择性 电化学腐蚀 硼离子选择注入 PACC 3220D 5270G 6146 
高阻硅掩膜选择性生长多孔硅阵列被引量：2
《科技通讯（上海）》2004年第1期63-66,共4页陈少强 朱建中 朱自强 邵丽 王伟明 郁可 
国家杰出青年基金(69925409);国家自然科学基金(60276036);上海应用材料基金与发展基金(0202)
介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程。结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好。
关键词：多孔硅阵列 选择性生长 高阻硅掩膜 氢离子注入 电化学腐蚀 
低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现
《Journal of Semiconductors》2003年第9期994-998,共5页石艳玲 忻佩胜 邵丽 游淑珍 朱自强 赖宗声 
国家"973"计划 (No .G19990 3310 5);国家杰出青年基金 (批准号 :6 99754 0 9);上海应用材料研究与发展基金 (No .0 10 3)资助项目~~
在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导 ,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较 .采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线 ,并通过关键的混合腐蚀技术制备了 5...
关键词：共平面波导 低阻硅衬底 微机械加工技术 插入损耗 
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