陆静学

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发文主题：CMOS工艺CMOS硅基无源器件电感更多>>
发文领域：电子电信医药卫生轻工技术与工程更多>>
发文期刊：《电子器件》《Journal of Semiconductors》更多>>
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用于802.11a系统的5.8GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计
《电子器件》2007年第2期380-383,共4页蒋东铭 黄风义 陆静学 赵亮 
江苏省自然科学基金资助(BK2004066)
通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μm CMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工艺厂家提供的电感测试数据进行参数提取,得到精准的电感模型...
关键词：低噪声放大器 CMOS工艺 噪声优化 电感模型 
Refinement of an Analytical Approximation of the Surface Potential in MOSFETs
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1155-1158,共4页陆静学 黄风义 王志功 吴文刚 
国家自然科学基金(批准号:60476012);东南大学基金(批准号:XJ0404142);博士研究基金(批准号:20040286022)资助项目~~
A refinement of an analytical approximation of the surface potential in MOSFETs is proposed by introducing a high-order term. As compared to the conventional treatment with accuracy between 1nV and 0. 03mV in the case...
关键词：MOSFET surface potential analytical approximation device modeling 
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