周天明

作品数：2被引量：4H指数：2
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供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文主题：铟镓砷半导体红外探测器含砷剧毒物质更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《发光学报》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响被引量：3
《半导体光电》2002年第4期271-273,共3页缪国庆 金亿鑫 蒋红 周天明 李树玮 元光 宋航 
国家自然科学基金重点项目 (5 0 132 0 2 0 )
介绍了利用LPMOCVD技术在InP衬底上生长In0 .53 Ga0 .4 7As材料 ,获得表面平整、光亮的In0 .53 Ga0 .4 7As外延层。研究了Ⅴ /Ⅲ比对表面形貌、结晶质量、电学质量的影响。在Ⅴ /Ⅲ比较低时 ,表面粗糙 ,要获得镜面状的表面形貌 ,Ⅴ /Ⅲ...
关键词：铟镓砷 Ⅴ/Ⅲ比 低压金属有机化学气相沉积 
生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响被引量：3
《发光学报》2002年第5期465-468,共4页缪国庆 金亿鑫 蒋红 周天明 李树玮 元光 宋航 
国家自然科学基金资助项目 (5 0 13 2 0 2 )
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料 ,获得表面平整、光亮的In0 53 Ga0 47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高 ,为了保证铟在固相中组分不变 ,必...
关键词：IN0.53GA0.47AS/INP LPMOCVD 铟镓砷化合物 生长温度 低压金属有机化学气相沉积 半导体材料 磷化铟衬底 
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