IN0.53GA0.47AS/INP

作品数：9被引量：20H指数：3
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相关作者：宋航蒋红缪国庆金亿鑫张铁民更多>>
相关机构：中国科学院贵州大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院大学更多>>
相关期刊：《低温物理学报》《光学学报》《红外与毫米波学报》《Chinese Physics Letters》更多>>
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倍增层厚度对In0.53Ga0.47As/InP雪崩二极管器件特性的影响被引量：8
《光学学报》2020年第18期10-14,共5页王航 袁正兵 谭明 顾宇强 吴渊渊 肖清泉 陆书龙 
国家重点研发计划(2018YFB2003305);国家自然科学基金(61534008,61774165,61704186);江苏省重点研发计划(BE2018005);中国科学院科技服务网络计划项目(KFJ-STS-ZDTP-086);纳米所自有资金项目(Y8AAQ11003)。
利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增层厚度对电场强度...
关键词：探测器 雪崩光电二极管 贯穿电压 击穿电压 分子束外延 ZN扩散 
高量子效率InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外光电阴极模拟被引量：2
《红外与激光工程》2019年第2期247-253,共7页周振辉 徐向晏 刘虎林 李岩 卢裕 钱森 韦永林 何凯 赛小锋 田进寿 陈萍 
国家自然科学基金(11475209)
将In_(0.53)Ga_(0.47)As吸收层设计为多个薄层,通过不同浓度掺杂实现吸收层杂质指数分布,建立了InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外光电阴极模型,在皮秒级响应时间的前提下模拟了吸收层厚度、掺杂浓度和阴极外置偏压对阴极内量子效率的影...
关键词：量子效率 响应时间 指数掺杂 红外光电阴极 InP/In0.53Ga0.47As/InP 
基于silvaco-TCAD的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外探测器的仿真被引量：1
《低温物理学报》2018年第6期1-7,共7页陈豪 肖清泉 袁正兵 王坤 黎业羽 史娇娜 谢泉 陆书龙 
国家自然科学基金项目(61264004);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目([2018]0009);贵州省高层次创新型人才培养项目资助的课题
采用silvaco-TCAD研究In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP SAGCM-APD光电探测器,对探测器的结构参数对器件的电场分布、击穿电压和贯穿电压的影响进行仿真分析.研究表明电荷层对器件内部电场起到更好的调节作用,但过高的电荷层面密度会导致APD探...
关键词：IN0.53GA0.47AS/INP SAGCM-APD探测器 InP倍增层 击穿电压 贯穿电压 
In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性被引量：4
《光子学报》2018年第3期107-112,共6页袁正兵 肖清泉 杨文献 肖梦 吴渊渊 谭明 代盼 李雪飞 谢泉 陆书龙 
江苏省科技支撑计划(No.BE2016085); 中国科学院重点前沿科学研究项目(No.QYZDB-SSW-JSC014)资助
通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下,器件暗电流小于10nA;-5V偏压下电容密度低至1.43×10^(-8) F/cm^2.在1 310nm红外光照及30V反向偏...
关键词：雪崩光电二极管 低暗电流 宽响应范围 分子束外延 ZN扩散 
InGaAs焦平面探测器电串音性能的研究（英文）
《红外与毫米波学报》2015年第6期641-646,共6页李冬雪 王天盟 沈文忠 张月蘅 李雪 李淘 
Supported by 863 Program of China(2011AA010205);National Major Basic Research Project(2011CB925603);Natural Science Foundation of China(91221201,61234005,11074167)
串音与焦平面阵列(FPA)的灵敏度和分辨率密切相关.用模拟的方法定量地计算了In_(0.53) Ga_(0.47)As/InP探测器焦平面阵列的电串音随光波波长、入射方向和台面的刻蚀深度的变化情况.结果显示台面结构的器件的串音抑制性能比平面结构的要...
关键词：In0.53Ga0.47As/InP焦平面阵列 电串音 平面结构 台面结构 
In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究被引量：3
《物理学报》2015年第15期244-250,共7页玛丽娅 李豫东 郭旗 艾尔肯 王海娇 汪波 曾骏哲 
国家自然科学基金(批准号:11275262)资助的课题~~
为获得对In0.53Ga0.47As/In P材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律,开展了1 Me V电子束辐照试验,注量为5×1012—9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,进行了光致发光谱测试,得到了不同结构In0.53Ga0.47As/In P材料...
关键词：In0.53Ga0.47As/In P 量子阱 电子束辐照 光致发光谱 
Spin Splitting in In0.53Ga0.47As/InP Heterostructures
《Chinese Physics Letters》2008年第6期2194-2197,共4页商丽燕 俞国林 林铁 周文政 郭少令 戴宁 褚君浩 
Supported by the Special Funds for Major State Basic Research Project under Grant No 2007CB924901, the National Natural Science Foundation of China under Grant No 60221502, the Knowledge Innovation Programme of Chinese Academy of Sciences under Grant No C2-12, and Science and Technology Commission of Shanghai under Grant No 07JC14059.
Spin-orbit coupling in a gate-controlled In0.53 Ga0.47 As/InP quantum well is investigated in the presence of a large Zeeman effect. We develop a fourier-transform fitting procedure to extract the zero-field spin-spli...
关键词：2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS HETEROJUNCTIONS RESONANCE TRANSPORT SYSTEMS 
In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与线列器件
《红外与激光工程》2007年第z1期20-22,共3页缪国庆 张铁民 金亿鑫 蒋红 李志明 宋航 
国家自然科学基金重点项目(50632060)
采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×256线列器件,光谱响应范围为O.90～1.70 μm,量子效率为73%,在零偏压下,暗电流为1.62×10-8A,动态零压电阻为2.72×...
关键词：铟镓砷 金属有机化合物气相沉积 探测器 
生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响被引量：3
《发光学报》2002年第5期465-468,共4页缪国庆 金亿鑫 蒋红 周天明 李树玮 元光 宋航 
国家自然科学基金资助项目 (5 0 13 2 0 2 )
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料 ,获得表面平整、光亮的In0 53 Ga0 47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高 ,为了保证铟在固相中组分不变 ,必...
关键词：IN0.53GA0.47AS/INP LPMOCVD 铟镓砷化合物 生长温度 低压金属有机化学气相沉积 半导体材料 磷化铟衬底 
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