张蕾

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：东华大学更多>>
发文主题：磁性GAN角膜接触镜INSB电子结构更多>>
发文领域：经济管理理学电子电信轻工技术与工程更多>>
发文期刊：《暨南大学学报（自然科学与医学版）》《红外与毫米波学报》《东华大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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Ga/N共掺杂对InSb电子结构的影响被引量：3
《红外与毫米波学报》2012年第3期231-234,共4页张会媛 邢怀中 张蕾 
国家自然科学基金项目(61006091;11174048)~~
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,研究了Ga和N共掺杂闪锌矿InSb半导体的电子结构和电子性质.研究发现单独掺杂Ga或N对InSb带隙的影响较小.在共掺杂Ga/N的情况下,当Ga/N浓度增加时对InSb的带隙影响明显.这些理论结果对半导体...
关键词：电子结构 Ga/N共掺杂 INSB 
Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响
《红外与毫米波学报》2011年第3期229-231,249,共4页张蕾 邢怀中 黄燕 张会媛 王基庆 
国家自然科学基金项目(61006091,60876067,60990312);973项目(2007CB92400)
利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验...
关键词：GaN:Si 第一性原理 磁性 
C^＊-代数中两个正定元的α-幂几何平均与广义谱几何平均
《东华大学学报（自然科学版）》2007年第5期598-601,共4页张蕾 姜健飞 
引入并研究了C*-代数中两个正定元a与b的α-幂几何平均gα(a,b)与广义谱几何平均Eα(a,b),且由此证明了一系列相关的性质和定理.这也是对C*-代数中两个正定元a与b的谱几何平均的推广与延拓.
关键词：C^＊-代数 正定元 α-幂几何平均 广义谱几何平均 
在序A^2≥(AB^2A)^(1/2)下若干算子函数的单调性被引量：1
《暨南大学学报（自然科学与医学版）》2007年第1期28-31,共4页张蕾 姜健飞 
引入了Hilbert空间H上两个严格正算子A,B之间的一种序关系A2≥(AB2A)12,并且讨论了在这个序关系下的一些与古田不等式有关的算子函数的单调性.
关键词：序 L—H不等式 单调性 
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