杜传兴

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供职机构：同济大学电子与信息工程学院更多>>
发文主题：INASSB长波长长波电学性质电学更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《电子与封装》《材料热处理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响
《材料热处理学报》2014年第12期11-14,共4页高玉竹 周冉 龚秀英 杜传兴 
国家自然科学基金(60777022)
研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化。用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100μm。在350℃下...
关键词：INASSB 退火处理 元素分布 电学性质 
长波InAsSb材料的结构特性研究
《电子与封装》2012年第1期14-16,24,共4页杜传兴 高玉竹 龚秀英 方维政 
用熔体外延(ME)法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,并测量出外延层的厚度达到100μm,用X-射线衍射(XRD)谱研究了InAsSb外延层的结构性质。测量结果表明,InAs/InAs0.023Sb0.977单晶具有相当完...
关键词：INASSB 熔体外延 结构性质 组分分布 
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