高玉竹

作品数：16被引量：48H指数：3
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供职机构：同济大学更多>>
发文主题：INASSB截止波长液相外延外延法INAS更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《上海师范大学学报（自然科学版中英文）》《探测与控制学报》《材料热处理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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近室温工作的中长波InAsSb探测器被引量：3
《光电子．激光》2018年第12期1266-1269,共4页高玉竹 赵子瑞 龚秀英 魏小梅 冯彦斌 司俊杰 
军工科研资助项目
用熔体外延法(melt epitaxy),在砷化铟(InAs)衬底上,制备了长波铟砷锑(InAs0.05Sb0.95)厚膜单晶。熔体外延法,是一种改进的液相外延法(LPE)。用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,测量出外延层的厚度达到150μm,这个厚度有效地抑...
关键词：INASSB 近室温工作 光谱响应 峰值响应率 
非制冷型InAsSb光探测器在8～9μm波长的性能提高被引量：2
《光电子．激光》2015年第5期825-828,共4页高玉竹 龚秀英 李继军 吴广会 冯彦斌 Takamitsu Makino Hirofumi Kan 
军工项目;中央高校基本科研业务费资助项目
研究提高非制冷型铟砷锑（InAsSb）光子探测器在8~9μm波长的灵敏度。用熔体外延（ME）技术在砷化铟（InAs）衬底上生长了长波长InAsSb厚外延膜,外延层厚达到50μm。X-射线衍射（XRD）谱测量表明,外延层为高质量单晶。电子探针微分析（E...
关键词：INASSB 非制冷型光子探测器 光谱响应 探测率 
Bmob云平台在Android App开发中的应用被引量：27
《微型机与应用》2015年第1期26-28,共3页周冉 高玉竹 
详细介绍了Bmob云平台的功能:数据服务、文件服务、用户管理、消息推送,以及这些功能在Android App中的应用。利用Android App"游戳"来具体说明Bmob云平台在App的开发过程中对于解决所涉及到的数据、文件及用户管理问题所起的作用,并且...
关键词：Bmob 云平台 ANDROID 
退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响
《材料热处理学报》2014年第12期11-14,共4页高玉竹 周冉 龚秀英 杜传兴 
国家自然科学基金(60777022)
研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化。用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100μm。在350℃下...
关键词：INASSB 退火处理 元素分布 电学性质 
非制冷型中长波铟砷锑探测器被引量：1
《电子与封装》2014年第2期45-48,共4页高玉竹 洪伟 龚秀英 吴广会 冯彦斌 
国家自然科学基金项目(60777022);中央高校基本科研业务费项目
工作在中、长波红外波段(波长5~12μm)的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延(ME)法...
关键词：非制冷红外光子探测器 INASSB 峰值探测率 光谱响应 
基于寄存器状态的低功耗时钟树设计被引量：2
《电子测量技术》2013年第11期1-3,共3页张晓芸 高玉竹 
功耗对芯片来说是一项重要的技术指标,现代IC设计的目标之一就是降低功耗。门控时钟技术可以有效地降低芯片动态功耗,因此构建时钟树网络显得尤为重要。以降低门控信号翻转次数为目标,提出一种基于寄存器状态的时钟树网络构造方法,将节...
关键词：时钟树 低功耗 节点差异 门控信号 
用于多电压域设计的双向全摆幅电平转换器被引量：4
《上海师范大学学报（自然科学版）》2012年第5期466-469,共4页哈继欣 高玉竹 
提出了一种无静态漏电流的高性能电平转换器.与现有的电平转换器不同,此设计能够在无静态功耗的情况下,将阈值电压转换为全摆幅输出,只要输入电平高于输出端电压域的NMOS的阈值电压即可正常工作,并且具有更短的传播延时和更低的动态功耗...
关键词：超大规模集成电路 40 NM 多电压域 电平转换器 
用液相外延法生长3～7μm波段InAs/InAs_(1-y)Sb_y及其光学和电学性质被引量：2
《光电子．激光》2012年第2期286-290,共5页高玉竹 龚秀英 Makino T Yamaguchi T Rowell N L 
国家自然科学基金(60777022)资助项目
用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL)谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学...
关键词：InAs/InAsSb 液相外延(LPE) 光学性质 电学性质 
长波InAsSb材料的结构特性研究
《电子与封装》2012年第1期14-16,24,共4页杜传兴 高玉竹 龚秀英 方维政 
用熔体外延(ME)法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,并测量出外延层的厚度达到100μm,用X-射线衍射(XRD)谱研究了InAsSb外延层的结构性质。测量结果表明,InAs/InAs0.023Sb0.977单晶具有相当完...
关键词：INASSB 熔体外延 结构性质 组分分布 
室温InAsSb长波红外探测器的研制被引量：6
《光电子．激光》2010年第12期1751-1754,共4页高玉竹 龚秀英 吴广会 冯彦斌 方维政 
国家自然科学基金资助项目(60777022)
用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8～12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量,位错密度达到104cm-2量级。室温下,霍尔测量得到的载流子浓度为1～3×1016cm-3,电子迁移率大于5...
关键词：室温探测器 INASSB 红外材料 黑体探测率 
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