陈志远

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：厦门大学更多>>
发文主题：纳米压印GAN基LED压印发光二极管光子晶体结构更多>>
发文领域：电子电信生物学理学更多>>
发文期刊：《现代电子技术》《厦门大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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纳米压印技术制备表面二维光子晶体发光二极管
《厦门大学学报（自然科学版）》2014年第5期693-698,共6页陈志远 刘宝林 朱丽虹 樊海涛 曾凡明 林飞 
国家自然科学基金(11104230)
研究利用纳米压印技术在氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)表面制备二维光子晶体结构对器件出光的影响.利用聚合物(IPS)软模板二次压印技术,在样品表面形成较为完整的掩膜,通过感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺分别在p-GaN层与ITO层成功制备...
关键词：纳米压印 光子晶体 氮化镓 发光二极管 
低压下激光剥离的研究被引量：1
《现代电子技术》2014年第12期156-159,共4页林飞 陈志远 刘宝林 朱丽虹 李晓莹 曾凡明 
国家自然科学基金(11104230)
为了研究低压环境对激光剥离的影响,利用准分子激光剥离系统和真空腔对GaN/蓝宝石样品分别在低压下和常压下进行多脉冲激光照射,之后用台阶仪测量样品的分解深度,得知相比常压环境,低压下GaN分解深度在脉冲次数为10次、20次、30次时分...
关键词：GAN 激光剥离 多脉冲激光照射 激光剥离速率 
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