叶邦角

作品数：69被引量：139H指数：6
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基于Geant4的慢正电子束注入金属材料的模拟研究被引量：1
《中国科学技术大学学报》2020年第2期236-242,共7页孟飞 潘子文 叶邦角 
国家自然科学基金(11475165)资助.
用Geant4软件对慢正电子束注入金属材料的过程进行了模拟,模拟计算了正电子垂直入射与倾斜入射金属材料的背散射系数,得到了倾斜入射条件下正电子深度分布曲线及入射倾角与正电子背散射系数的关系曲线,同时进一步分析了不同入射倾角条...
关键词：背散射系数 GEANT4 倾斜入射 横向扩散 
氘化对KH_2PO_4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究
《物理学报》2015年第9期501-506,共6页张丽娟 张传超 廖威 刘建党 谷冰川 袁晓东 叶邦角 
国家自然科学基金(批准号:11175171)和国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11404301)资助的课题~~
采用传统降温法从不同程度氘化(x=0,0.51,0.85)的生长溶液中生长氘化KH2PO4(KDP)晶体,利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD)结构分析,对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究,讨论了氘化程度对晶体内...
关键词：正电子湮没 KH2PO4晶体 氘化 微观缺陷 
完美晶体中正电子体寿命计算的几种方法的分析与比较
《物理学报》2014年第21期364-373,共10页黄世娟 张文帅 刘建党 张杰 李骏 叶邦角 
国家自然科学基金(批准号:11175171,11105139)资助的课题~~
以正电子寿命为探测对象的正电子湮没寿命谱技术在研究半导体等材料的微缺陷方面得到了广泛的应用,它对晶体的结构类型、缺陷种类以及温度等十分敏感,因此,理论上正电子寿命的快速精确计算与实验数据的结合分析显得尤为重要.采用中性原...
关键词：正电子体寿命 完美晶体 正电子电子关联势 增强因子 
非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)(ST-BT)的正电子湮没谱学研究被引量：3
《物理学报》2012年第23期484-489,共6页张丽娟 王力海 刘建党 李强 成斌 张杰 安然 赵明磊 叶邦角 
国家自然科学基金重点项目(批准号:10835006);国家自然科学基金(批准号:51172129);国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11105139)资助的课题~~
采用传统陶瓷烧结工艺成功制备出新型非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)(ST-BT),利用正电子湮没技术,对ST-BT复合陶瓷烧结过程进行了研究,讨论了烧结过程中材料内部的缺陷变化特征,给出了烧结温度对该复合陶瓷结晶度和缺陷结...
关键词：正电子寿命谱 非铁电压电陶瓷 烧结温度 缺陷结构 
正电子谱学技术在功能材料微结构表征中的应用被引量：2
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第11期1217-1225,共9页张礼红 成斌 张杰 张丽娟 郭卫锋 刘建党 张礼楠 叶邦角 
国家自然科学基金资助项目(批准号:11175171;11105139;10835006)
特殊功能材料是一些具有优良电学、磁学、学、热学、学、力学、化学、物医学功能,在各类高科技领域到泛应用.正电子湮没技术是一种对材料微结构特别有效探测技术,特别是对各种缺陷、空位和微孔尤为灵敏,通过正电子湮没寿命谱、多普勒展...
关键词：正电子谱学 微结构 功能材料 缺陷 
坩埚中自由空间量对Bridgman法生长的CdZnTe晶体缺陷的影响被引量：1
《无机材料学报》2012年第8期790-794,共5页李辉 闵嘉华 王林军 夏义本 张继军 叶邦角 
国家自然科学基金(10675080);上海市重点学科基金(S30107)~~
采用Bridgman法生长CdZnTe晶体.分别采用红外透过显微镜和正电子湮灭寿命谱仪研究了CdZnTe晶体中的Te夹杂相、Cd空位等缺陷与坩埚中的自由空间量大小的关系.结果表明:随着坩埚自由空间量的减小,晶体中Te夹杂相密度从6.67×104/cm2降低到...
关键词：CDZNTE 缺陷 正电子寿命 Te夹杂 
纳米Fe_3O_4颗粒的正电子湮没谱学研究被引量：1
《物理学报》2011年第6期712-717,共6页许红霞 郝颖萍 韩荣典 翁惠民 杜淮江 叶邦角 
国家自然科学基金重点项目(批准号:10835006);国家自然科学基金(批准号:10975133);教育部"211工程"专项基金;中国科学院知识创新工程重要方向性项目资助的课题~~
测量了磁性纳米Fe3O4颗粒的X射线衍射谱(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDBS),研究了不同压力和退火温度对磁性纳米Fe3O4颗粒物相、电子结构、缺陷及电子动量分布等的影响.XRD,PALS,CDBS测量结果表明:纳米Fe3O4颗粒...
关键词：正电子 FE3O4 寿命谱 多普勒展宽谱 
单晶固体中正电子波函数的计算
《物理学报》2010年第10期7374-7377,共4页熊涛 张杰 陈祥磊 叶邦角 杜淮江 翁惠民 
国家自然科学基金(批准号:10675115)资助的课题~~
介绍了正电子波函数计算的两种基本方法——有限差分方法(FDM)与平面波方法(PW).并以单晶Si为例,计算出正电子的波函数,从而计算出正电子在Si中的密度分布;由该正电子密度,进一步计算出了正电子在Si中的体寿命.计算结果与我们最近的实...
关键词：正电子 波函数 
SmFeAsO材料的正电子寿命研究被引量：1
《物理学报》2010年第4期2789-2794,共6页郝颖萍 陈祥磊 成斌 孔伟 许红霞 杜淮江 叶邦角 
国家自然科学基金(批准号:10675114);国家自然科学基金重点项目(批准号:10835006)资助的课题~~
首次用正电子湮灭寿命谱仪(PALS)测量SmFeAsO多晶样品常温下的寿命谱,得到两个寿命成分151.6ps和290.3ps,根据捕获模型得到正电子在SmFeAsO中湮灭的体寿命为187.0ps,与理论计算(广义梯度近似)得到的SmFeAsO单晶中的正电子体寿命173ps符...
关键词：高温超导 正电子寿命 
化合物半导体材料的正电子寿命计算
《物理学报》2010年第1期603-608,共6页陈祥磊 张杰 杜淮江 周先意 叶邦角 
国家自然科学基金(批准号:10675114;10835006)资助的课题~~
在局域密度理论(LDA)和广义梯度理论(GGA)的基础上计算了ZnO,GaN,GaAs,SiC和InP五种化合物半导体材料中的正电子湮没信息,包括化合物半导体材料中的自由态正电子的湮没寿命;还有不同类型空位(单空位,双空位)附近俘获的束缚态正电子密度...
关键词：半导体 正电子寿命 
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