云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 杜淮江

杜淮江: 作品数：13被引量：26H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：中国科学技术大学物理学院近代物理系更多>>; 发文主题：正电子正电子寿命高温超导快中子XFX更多>>; 发文领域：理学一般工业技术核科学技术电气工程更多>>; 发文期刊：《核电子学与探测技术》《同位素》《物理学报》《Chinese Journal of Chemical Physics》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金中国科学技术大学青年基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>

纳米Fe_3O_4颗粒的正电子湮没谱学研究被引量：1: 《物理学报》2011年第6期712-717,共6页许红霞郝颖萍韩荣典翁惠民杜淮江叶邦角; 国家自然科学基金重点项目(批准号:10835006);国家自然科学基金(批准号:10975133);教育部"211工程"专项基金;中国科学院知识创新工程重要方向性项目资助的课题~~; 测量了磁性纳米Fe3O4颗粒的X射线衍射谱(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDBS),研究了不同压力和退火温度对磁性纳米Fe3O4颗粒物相、电子结构、缺陷及电子动量分布等的影响.XRD,PALS,CDBS测量结果表明:纳米Fe3O4颗粒...; 关键词：正电子 FE3O4 寿命谱多普勒展宽谱

Thickness Impacts of Vacancy Defects in Epitaxial La0.7Sr0.3MnO3 Thin Films Using Slow Positron Beam被引量：1: 《Chinese Journal of Chemical Physics》2010年第6期685-688,746,共5页刘建党成斌杜淮江叶邦角; Thickness effects of thin La0.7Sr0.3MnO3 （LSMO） films on （LaAlOa）0.3（Sr2AlTaO6）0.7 substrates were examined by a slow positron beam technique. Doppler-broadening line shape parameter S was measured as a function...; 关键词：Thin film Giant magnetoresistance Slow positron beam DEFECT

单晶固体中正电子波函数的计算: 《物理学报》2010年第10期7374-7377,共4页熊涛张杰陈祥磊叶邦角杜淮江翁惠民; 国家自然科学基金(批准号:10675115)资助的课题~~; 介绍了正电子波函数计算的两种基本方法——有限差分方法(FDM)与平面波方法(PW).并以单晶Si为例,计算出正电子的波函数,从而计算出正电子在Si中的密度分布;由该正电子密度,进一步计算出了正电子在Si中的体寿命.计算结果与我们最近的实...; 关键词：正电子波函数

闪锌矿结构晶体的正电子体寿命计算: 《物理学报》2010年第8期5828-5832,共5页张杰陈祥磊郝颖萍叶邦角杜淮江; 国家自然科学基金(批准号:10675114;10675115;10835006)资助的课题~~; 在局域密度近似理论(LDA)和广义梯度近似理论(GGA)的基础上,用中性原子叠加的方法(ATSUP),理论上对亚铜的卤化物(CuF除外,因为它不是闪锌矿结构)及某些硼化物进行计算,计算结果与实验符合得很好;其次,计算了其他具有闪锌矿结构的众多晶...; 关键词：正电子体寿命闪锌矿结构

SmFeAsO材料的正电子寿命研究被引量：1: 《物理学报》2010年第4期2789-2794,共6页郝颖萍陈祥磊成斌孔伟许红霞杜淮江叶邦角; 国家自然科学基金(批准号:10675114);国家自然科学基金重点项目(批准号:10835006)资助的课题~~; 首次用正电子湮灭寿命谱仪(PALS)测量SmFeAsO多晶样品常温下的寿命谱,得到两个寿命成分151.6ps和290.3ps,根据捕获模型得到正电子在SmFeAsO中湮灭的体寿命为187.0ps,与理论计算(广义梯度近似)得到的SmFeAsO单晶中的正电子体寿命173ps符...; 关键词：高温超导正电子寿命

化合物半导体材料的正电子寿命计算: 《物理学报》2010年第1期603-608,共6页陈祥磊张杰杜淮江周先意叶邦角; 国家自然科学基金(批准号:10675114;10835006)资助的课题~~; 在局域密度理论(LDA)和广义梯度理论(GGA)的基础上计算了ZnO,GaN,GaAs,SiC和InP五种化合物半导体材料中的正电子湮没信息,包括化合物半导体材料中的自由态正电子的湮没寿命;还有不同类型空位(单空位,双空位)附近俘获的束缚态正电子密度...; 关键词：半导体正电子寿命

元素周期表中元素单晶基于局域密度理论的正电子寿命计算: 《物理学报》2009年第11期7627-7632,共6页陈祥磊孔伟杜淮江叶邦角; 国家自然科学基金(批准号:10675114;10835006)资助的课题~~; 在局域密度近似理论(LDA)的基础上用中性原子叠加模型和有限插分方法(SNA-FD)计算了元素周期表中各种元素单晶的正电子体寿命和单空位寿命.分析了不同结构的单晶中自由正电子的分布信息和湮没信息.元素单晶的正电子寿命计算值与文献中...; 关键词：局域密度近似理论正电子寿命

Fe_3O_4-C核壳型纳米纤维的正电子研究被引量：1: 《物理学报》2009年第10期6946-6950,共5页熊涛高传波陈祥磊周先意翁惠民曹方宇叶邦角韩荣典杜淮江; 国家自然科学基金(批准号:10675115;10675114)资助的课题~~; 利用正电子手段研究新型多功能材料Fe3O4-C纳米管核壳结构纳米纤维的内部电子结构,通过测量和分析正电子湮没寿命谱和符合双多普勒展宽谱,发现在这种材料中部分正电子在Fe3O4内部的单空位中发生湮灭,部分正电子在Fe3O4的微空洞中发生湮...; 关键词：正电子纳米纤维寿命符合多普勒

^(241)Am-Be中子源快中子成像研究被引量：3: 《同位素》2007年第2期87-89,共3页蒋诗平陈亮万里飚杜淮江范扬眉韩荣典; 国家自然科学基金资助项目(批准号60477001); 中子成像是一种与X射线成像互补的无损探测技术。为探索同位素中子源用于发展可移动的无损检测系统,利用241Am-Be作为中子源,使用自制的中子发光转换屏和X射线胶片作为探测系统开展了快中子成像研究,并获得了较高质量的图像。研究结果表...; 关键词：^241Am-Be中子源快中子成像无损检测

快中子照相的实验研究被引量：21: 《核技术》2005年第2期151-154,共4页蒋诗平陈亮陈阳杜淮江王忠民范扬眉韩荣典; 快中子照相是一种优良的无损检测技术,它有着 X 射线、热中子照相等所不具有的独特优势。本文介绍了作者分别采用 Am-Be 同位素中子源和中子发生器进行的快中子照相研究,并利用自制的 Gd2O2S:Tb 快 241中子转换发光屏进...; 关键词：快中子照相 ^241Am-Be中子源中子发生器

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