许生根

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文主题：沟道埋层氧化层NLDMOSSOI_LDMOS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《科技通报》《电子器件》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划浙江省科技计划项目更多>>
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具有超高耐压(>1200V)的薄埋氧层BPL SOI LDMOS(英文)
《电子器件》2012年第2期119-124,共6页张海鹏 许生根 
Innovative Scientific Research Project for Graduate Student of Zhejiang Province(YK2010059);Project supported by the Science and Technology development plan of Zhejiang Province(2006AA09Z228)
为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SOI LDMOS在传统SOI LDMOS的埋氧层和N型漂移区之间引入了一个P型埋层。当器件正向截止时,N型漂移区与P埋...
关键词：功率LDMOS P埋层SOI 工艺与器件仿真 超高耐压 热性能 
双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究被引量：1
《科技通报》2011年第2期258-262,267,共6页许生根 张海鹏 齐瑞生 陈波 
863计划资助项目(AA09Z239);浙江省科技计划资助项目(2009C21G2040066)
提出了一种具有双槽栅(DTG)SOI LDMOS新结构及其制造方法。与单槽栅(STG)SOI LDMOS相比,DTG SOI LDMOS具有更高的击穿电压,更低的通态电阻,更高的跨导。通过Silvaco TCAD对该结构进行了工艺仿真和器件电学特性模拟,结果表明DTG SOI LDMO...
关键词：微电子学与固体电子学 双槽栅 SOI LDMOS 电学特性 制造方法 
一种自偏置预失真线性功率放大器被引量：1
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2010年第6期1-4,共4页陈波 张海鹏 许生根 齐瑞生 
863计划资助项目(AA09Z239);浙江省科技计划资助项目(C21G2040066)
该文提出了一种用中芯国际0.18μm工艺设计的自偏置预失真AB类功率放大电路电路结构。电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置电路,在第二级电路中采用预失真电路。该次设计采用Agilent的ADS软件对电路进行模拟,在2.4GHz频率...
关键词：电路与系统 功率放大器 自偏置 预失真 共源共栅 线性化 
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