闫翠霞

作品数：5被引量：4H指数：2
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供职机构：山东大学更多>>
发文主题：金刚石掺杂离子注入金刚石半导体半导体材料更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《功能材料》《光散射学报》更多>>
所获基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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硼/氢掺杂金刚石薄膜导电特性研究被引量：2
《半导体技术》2006年第7期495-497,共3页刘东红 闫翠霞 俞琳 胡连军 龙闰 戴瑛 
国家自然科学基金资助项目(10374060);山东省自然科学基金资助项目(Y2003A01)
金刚石是非常理想的功能器件材料,由于室温下金刚石缺少浅施主态,已成为金刚石作为电子器件材料的主要障碍之一。最近报道显示,硼掺杂同质外延金刚石层暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导。研究了CVD合成类Ⅰb型金刚石薄膜,通过...
关键词：金刚石 掺杂 离子注入 喇曼光谱 
B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象
《光散射学报》2006年第1期89-94,共6页闫翠霞 戴瑛 刘东红 
国家自然科学基金资助项目(No.10374060);山东省自然科学基金资助项目(Y2003A01)
离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。本文对B离子注入合成Ib型金刚石薄膜后体积膨胀现象进行了研究,分析了引起体积膨胀的可能因素及原因。
关键词：B离子注入 退火 体积膨胀 
p型金刚石欧姆接触的研究被引量：2
《半导体技术》2006年第1期44-47,共4页龙闰 戴瑛 刘东红 俞琳 闫翠霞 
国家自然科学基金(10374360);山东省自然科学基金(Y2003A01)
金刚石的欧姆接触是制造半导体器件的关键技术之一。简要综述了近年来p型金刚石制备欧姆接触的研究进展,结合器件的发展和实际工艺的要求,讨论了改善欧姆接触特性的途径和方法,指出目前存在急需解决的一些问题。
关键词：P型金刚石 欧姆接触 金属 
氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究
《功能材料》2005年第12期1837-1838,共2页俞琳 刘东红 胡连军 戴瑛 龙闰 闫翠霞 
国家自然科学基金资助项目(10374060);山东省自然科学基金资助项目(Y2003A01)
室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一。最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级。本文分析研究了目前p型金刚石出...
关键词：金刚石 氘化 n型电导 掺杂 
金刚石N型导电研究
《功能材料》2004年第z1期1094-1096,共3页戴瑛 刘东红 闫翠霞 俞林 杨剑 
国家自然科学基金资助项目(10374060);山东省自然科学基金资助项目(Y2003A01)
金刚石n型材料是近年来金刚石半导体器件研究的关键因而成为半导体材料领域研究的热点之一.本文通过理论计算对n-型材料研究中存在的磷(P)掺杂材料电子激活能量太高及掺硼p-型金刚石材料出现的导电类型转换现象进行了分析和探讨.
关键词：金刚石半导体 n-型导电 
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