云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 田少华

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ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响被引量：1: 《发光学报》2006年第1期31-35,共5页董国义窦军红韦志仁葛世艳郑一博林琳田少华; 河北省自然科学基金(E2004000117;F2004000130);河北省科技攻关(02213506D);河北省教育厅资助项目; 采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱...; 关键词：ZNS 微波吸收技术热释光光电子

Cu^+浓度对ZnS:Cu电致发光材料热释光曲线的影响被引量：1: 《光谱学与光谱分析》2005年第10期1730-1732,共3页李志强田少华宋伟朋韦志仁窦军红李娟; 河北省自然科学基金(502123)资助项目; 以ZnS为基质材料,分别掺入0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%浓度的Cu+作为激活剂,制得5个ZnS:Cu电致发光材料样品。通过对样品材料热释光曲线的分析和电致发光亮度的测量,得出结论:当Cu+的浓度含量过高,虽然发光中心数目增加,但热释光曲...; 关键词：ZnS:Cu热释光电子陷阱电致发光发光亮度

(Zn,Cd)S∶Cu,Cl发光材料的热释发光被引量：7: 《发光学报》2005年第3期316-320,共5页李志强田少华宋伟朋韦志仁董国义窦军红; 河北省自然科学基金资助项目(502123); 在ZnS中分别掺杂质量分数为5%、7%、10%、15%、20%的CdS,得到一系列(Zn,Cd)S∶Cu,Cl粉末电致发光材料样品。测量样品材料的热释发光曲线,发现五个样品在温度-180～-20℃范围内均有两个明显的热释发光峰。CdS含量的变化对材料中陷阱的种...; 关键词：电致发光热释光发光光谱发光亮度

ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响被引量：2: 《人工晶体学报》2005年第1期116-119,共4页董国义窦军红张蕾韦志仁葛世艳郑一博林琳田少华; 河北省自然科学基金(E2004000117;F2004000130); 本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主...; 关键词：发光 ZnS晶体能级中心光电子衰减浅电子陷阱导带受主施主制备过程

Cu^+对ZnS:Cu电致发光材料光致发光光谱的影响被引量：8: 《河北大学学报（自然科学版）》2004年第5期482-485,共4页田少华李志强宋伟朋; 河北省自然科学基金资助项目(502123); 以ZnS为基质材料,在其中掺入Cu+,使其质量比分别为0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,制得5个不同的ZnS:Cu电致发光材料样品.通过对样品材料光致发光光谱的分析和电致发光亮度的测量,发现随着Cu+含量的增加,样品材料的光致发光光谱波长由48...; 关键词：Cu^+掺杂 ZNS 电致发光光致发光光谱发光亮度

水热法合成Mn_xZn_(1-x)O微晶体(英文)被引量：2: 《人工晶体学报》2004年第4期670-673,共4页李志强田少华韦志仁葛世艳窦军红郑文礼张华伟; theNaturalScienceFoundationofHebeiProvinceofChina (No .50 2 1 2 3 ;E2 0 0 4 0 0 0 1 1 7):theScienceandTechnologyResearchProgramfromBureauofScienceandTechnologyofHebeiProvince (No .0 2 2 1 350 6D ;2 2 1 2 2 0 4 ); 本文采用水热法合成了MnxZn1 xO晶体 ,水热反应条件为 3mol·L-1KOH作为矿化剂 ,填充度为 35 % ,温度为4 30℃ ,在Zn(OH) 2 中添加一定量的MnO2 为前驱物 ,反应时间为 2 4h。通过X射线能谱仪测量了晶体中的Mn含量 ,随着前驱物中MnO2 含...; 关键词：水热法合成 MnxZn1-xO微晶体 KOH 矿化剂氢氧化钾氢氧化锌稀磁半导体

温度对电致发光粉表面包覆SiO_2膜特性的影响被引量：1: 《河北大学学报（自然科学版）》2004年第1期32-35,共4页李娟李志强田少华吴峰; 河北省自然科学基金资助项目(502123); 采用化学气相沉积法,以硅酸乙酯和氧气作为前驱体在ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,并对样品进行了能量色散X射线分析,AgNO3抗腐蚀,发光亮度和光谱等测试.结果证实当温度为500℃时,包膜样品具有良好的防潮抗腐蚀性能,材料发光寿命得...; 关键词：交流电致发光粉包覆 CVD 二氧化硅

CVD法在电致发光粉表面包覆SiO_2膜被引量：4: 《表面技术》2004年第2期32-35,共4页李志强李娟田少华韦志仁; 河北省自然科学基金资助项目(502123); 　以硅酸乙酯和氧气作为前驱体,在500℃下,采用流态化CVD法,对ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,对膜层进行了SEM、EDX、AgNO3抗腐蚀、发光亮度等测试。结果显示:发光粉颗粒表面明显存在一定量的SiO2。包覆的发光粉耐AgNO3腐蚀时间能达...; 关键词：电致发光粉 SIO2 包膜 CVD

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