苗瑞霞

作品数：11被引量：11H指数：2
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供职机构：西安邮电大学更多>>
发文主题：4H-SICSIC位错双栅隧穿更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《半导体光电》《航空计算技术》《科技创新导报》《硅酸盐学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目国防基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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n型4H-SiC材料中位错的电学特性研究
《半导体光电》2015年第4期574-576,591,共4页苗瑞霞 
国家自然科学基金青年基金项目(51302215)
研究位错的电学特性对于研究器件可靠性具有重要意义。文章利用拉曼散射技术在室温条件下研究了n型4H-SiC材料中位错电学特性。结果表明:螺型位错(TSD)、刃型位错(TED)的电子浓度均高于无位错区,且TSD电子浓度高于TED。结合位错结构分...
关键词：螺型位错(TSD) 刃型位错(TED) 电学特性 拉曼散射 
叠加相干态与叠加压缩态的相位精度研究
《西北工业大学学报》2015年第2期302-308,共7页谢端 苗瑞霞 赵健 
国家自然科学基金(51302215);陕西省教育厅科学研究计划项目(14JK1682)资助
利用Cramér-Rao下界法计算了叠加相干态与叠加压缩态可以达到的最优相位精度。结果表明,平均粒子数较大时,叠加相干态的精度只能达到标准量子极限,而叠加压缩态精度更高,达到了海森伯格极限。应用损耗模型,分析了二态在有损信道中传输...
关键词：相位精度 叠加相干态 叠加压缩态 有损信道 
低位错密度的XRD无损表征研究被引量：3
《科技创新导报》2015年第5期92-93,共2页苗瑞霞 
国家自然科学基金(No.51302215)~~
当半导体材料中位错密度大于107cm-2,难以用传统的腐蚀法进行测量时,可以利用高分辨X射线衍射(XRD)峰的半高宽估算材料中位错密度。该文利用该方法研究了位错密度小于107cm-2时是否适用的问题。结果表明,材料中位错密度较低(5.3×105cm...
关键词：XRD 4H-SIC 位错密度 
N型4H-SiC低温拉曼光谱特性被引量：1
《光谱学与光谱分析》2014年第1期108-110,共3页苗瑞霞 赵萍 刘维红 汤晓燕 
国家自然科学基金项目(61006060;51302215);陕西省教育厅科研基金项目(11JK0916)资助
利用拉曼散射技术对N型4H-SiC单晶材料进行了30～300K温度范围的光谱测量。实验结果表明,随着温度的升高,N型4H-SiC单晶材料的拉曼峰峰位向低波数方向移动,峰宽逐渐增宽。分析认为,晶格振动随着温度的升高而随之加剧,其振动恢复力会逐...
关键词：4H—SiC 拉曼光谱 声学模 光学模 
温度对4H-SiC拉曼散射模的影响
《科技创新导报》2013年第26期55-56,共2页苗瑞霞 
国家自然科学基金(No.51302215);陕西省教育厅科研基金(No.11JK0916)~~
在极端环境中应用的SiC器件,稳定性会受到温度的严重影响,其主要原因与材料晶格动力学因素随温度的变化有关。为了研究SiC单晶材料晶格动力学对温度的依赖关系,该文利用拉曼散射技术对材料4H-SiC材料进行了从30-300K温度范围的光谱测量...
关键词：4H—SiC 拉曼模 声学模 光学模 
腐蚀参数对SiC单晶材料位错腐蚀效果的影响被引量：3
《科技创新导报》2013年第25期87-89,共3页苗瑞霞 
国家自然科学基金(No.51302215);陕西省教育厅科研基金(No.11JK0916)~~
湿法腐蚀是缺陷表征的主要方法,腐蚀效果取决于腐蚀剂和腐蚀时间。然而碳化硅具有很强的化学稳定性,普通的腐蚀剂难以对SiC造成腐蚀,熔融的KOH可以很好地进行选择性腐蚀,因此位错选择性腐蚀的效果不仅受腐蚀时间的影响,还受腐蚀温度的...
关键词：SIC 腐蚀 位错 缺陷表征 
4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究
《航空计算技术》2011年第1期57-59,65,共4页黄鹤 张玉明 汤晓燕 张义门 苗瑞霞 
国家自然科学基金资助项目(60876061);预研基金资助项目(9140A08050508);中央高校基本科研业务费资助项目(JY10000925009)
根据4H-SiC刃型位错的特点,在Castep软件中建立了6×6×1的刃型位错模型。基于第一性原理,利用Castep程序对刃型位错的相关性质进行了计算,并与完整晶格的模拟结果进行了对比。结果表明在引入刃型位错之后,4H-SiC材料的带隙变窄,在靠近...
关键词：4H-SIC 刃型位错 第一性原理 
4H-SiC中基面位错发光特性研究被引量：2
《物理学报》2011年第3期745-748,共4页苗瑞霞 张玉明 汤晓燕 张义门 
国家自然科学基金(批准号:60876061);陕西13115创新工程(批准号:2008ZDKG-30);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000925009);国防基金(批准号:9140A08050508)资助的课题~~
本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究.结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530nm附近和480nm附近.从测试结果中还发现BM...
关键词：4H-SIC 基面位错 发光特性 禁带宽度 
SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究被引量：1
《光谱学与光谱分析》2010年第3期702-705,共4页苗瑞霞 张玉明 汤晓燕 张义门 
国家自然科学基金项目(60876061);西安应用材料创新基金项目(XA-AM-200704);国防基金项目(9140A08050508)资助
由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中,表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的,因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究...
关键词：阴极荧光 4H-SIC 无损表征 位错及堆垛层错 
一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法
《硅酸盐学报》2010年第2期183-186,共4页苗瑞霞 张玉明 张义门 汤晓燕 
国家自然科学基金重点项目(60876061);西安应用材料创新基金(XA-AM-200704);国防基金(9140A08050508)资助项目
介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法。该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stacking fault,SF)和外延层厚度的几何关系,通过测量在场发射扫描电子显微镜下观测到的SF沿[1100]方向边长的长度,计算出外...
关键词：堆垛层错 外延层厚度 无损测量 碳化硅 
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