陈蕾

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：SOI_LDMOS背栅硅化物多晶硅栅射频更多>>
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改进的RF-LDMOS小信号模型参数提取方法被引量：1
《半导体技术》2012年第2期159-163,共5页王帅 李科 陈蕾 姜一波 龚鸿雁 杜寰 韩郑生 
准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的...
关键词：LDMOS 小信号模型 去嵌入 参数提取 曲线拟合 
RF LDMOS功率器件研制
《半导体技术》2010年第10期968-972,共5页陈蕾 王帅 姜一波 李科 杜寰 
基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移...
关键词：射频LDMOS功率器件 击穿电压 栅极金属总线 截止频率 最大振荡频率 
LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法被引量：3
《半导体技术》2009年第10期968-973,共6页陈蕾 宋李梅 刘梦新 杜寰 
探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、...
关键词：横向双扩散场效应晶体管 静电放电防护 深漏极注入 击穿现象 
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