王帅

作品数：4被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：LDMOS参数提取方法RF_LDMOS功率器件击穿电压更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型被引量：1
《微电子学》2013年第1期130-133,共4页龚鸿雁 卜建辉 姜一波 王帅 杜寰 韩郑生 
提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型。LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型。根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型。模型考虑自加热效应后...
关键词：LDMOS 漂移区电阻 大信号模型 自加热效应 
L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法
《半导体技术》2012年第10期819-823,共5页王帅 李科 丛密芳 杜寰 韩郑生 
报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研...
关键词：横向双扩散场效应管器件 L波段 功率密度 脉冲功率 TRL低阻抗测试夹具 
改进的RF-LDMOS小信号模型参数提取方法被引量：1
《半导体技术》2012年第2期159-163,共5页王帅 李科 陈蕾 姜一波 龚鸿雁 杜寰 韩郑生 
准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的...
关键词：LDMOS 小信号模型 去嵌入 参数提取 曲线拟合 
RF LDMOS功率器件研制
《半导体技术》2010年第10期968-972,共5页陈蕾 王帅 姜一波 李科 杜寰 
基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移...
关键词：射频LDMOS功率器件 击穿电压 栅极金属总线 截止频率 最大振荡频率 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部