杨伟煌

作品数：2被引量：16H指数：2
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供职机构：厦门大学更多>>
发文主题：ALGAN超晶格氮化物半导体材料MOVPEALN更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学进展》《发光学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨被引量：5
《发光学报》2016年第5期513-518,共6页李金钗 季桂林 杨伟煌 金鹏 陈航洋 林伟 李书平 康俊勇 
"973"国家重点基础研究发展计划(2012CB619300);"863"国家高技术研究发展计划(2014AA032608);国家自然科学基金(U1405253;61227009;11204254;11404271);福建省自然科学基金(2015J01028)资助项目
紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光效率的新途径、新方法。为此,本文通过金属有机气相外延技术外...
关键词：ALGAN 多量子阱结构 深紫外LED 发光机制 
高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展被引量：11
《物理学进展》2013年第2期43-56,共14页陈航洋 刘达艺 李金钗 林伟 杨伟煌 庄芹芹 张彬彬 杨闻操 蔡端俊 李书平 康俊勇 
"973"规划项目(2012CB619301;2011CB25600);"863"计划项目(2011AA03A111);国家自然科学基金项目(61227009;90921002);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2012121014;CXB2011029);福建省自然科学基金计划项目(2012J01024)
随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点...
关键词：Ⅲ族氮化物 ALGAN ALN MOVPE 紫外LED 
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