武鹤楠

作品数：8被引量：15H指数：3
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发文主题：单壁碳纳米管ZNO密度泛函理论第一性原理密度泛函更多>>
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ZnO晶体晶格常数及弹性模量的第一性原理计算被引量：4
《人工晶体学报》2010年第B06期264-268,共5页郭连权 李大业 刘嘉慧 马贺 武鹤楠 冷利 张平 
辽宁省自然科学基金(No.20062040)
本文采用密度泛函理论及第一性原理对ZnO晶体结构参数和弹性模量进行了模拟计算,推导出了六角密集结构晶体弹性模量的解析表达式。计算中采用了Abinit计算软件,得到了ZnO晶体的晶格常数和弹性模量。计算表明,a轴和c轴的晶格常数分别为a=...
关键词：ZNO 密度泛函理论 第一原理 晶格常数 弹性模量 
扶手椅型单壁碳纳米管π电子能带及其曲线计算
《沈阳工业大学学报》2009年第4期409-413,共5页马贺 郭连权 王帅 韩东 宋开颜 武鹤楠 
沈阳工业大学博士基金项目(521101302)
为了研究单壁碳纳米管(SWNTs)的电学特性及其应用,对扶手椅型单壁碳纳米管π电子能带进行了计算.从紧束缚模型出发,利用量子理论和固体理论导出了单壁碳纳米管中π电子的能带表达式.在此基础上,利用波恩-卡门周期性边界条件和布洛赫定...
关键词：紧束缚模型 扶手椅型单壁碳纳米管 布里渊区 量子化 能带曲线 Π电子 波矢 
晶体Si能带的密度泛函及第一性原理计算被引量：3
《沈阳工业大学学报》2009年第3期296-298,305,共4页郭连权 刘嘉慧 宋开颜 张金虎 马贺 武鹤楠 李大业 
辽宁省自然科学基金资助项目(20062040)
针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明:Si的晶格常数为0.540 nm,与实验参考值相吻合;其...
关键词：晶体Si 半导体 能带 禁带宽度 密度泛函 第一性原理 赝势 Abinit软件 
锯齿型、螺旋型单壁碳纳米管的能带计算
《沈阳工业大学学报》2009年第2期163-167,共5页郭连权 刘嘉慧 马贺 宋开颜 武鹤楠 李大业 
辽宁省自然科学基金资助项目(20062040)
在紧束缚近似方法得到的扶手椅型单壁碳纳米管能带的基础上,通过坐标变换得到了锯齿型和螺旋型单壁碳纳米管能带的数学表达式,对结构参数为(9,0)、(10,0)、(7,4)和(9,6)型单壁碳纳米管的能带曲线进行了计算,并对能带曲线的特征进行了深...
关键词：碳纳米管 手性矢量 Π电子 布里渊区 能带 
ZnO能带及态密度的密度泛函理论研究被引量：7
《人工晶体学报》2009年第2期440-444,共5页郭连权 武鹤楠 刘嘉慧 马贺 宋开颜 李大业 
沈阳工业大学博士基金资助项目(No.521101302)
本文采用基于密度泛函理论框架下第一性原理的平面波赝势方法,并采用局域密度近似(LDA)理论和ABINIT软件对ZnO电子结构进行了计算。得到了ZnO的能带和态密度曲线。研究表明,ZnO的价带基本上可以分为三个区域,即下价带区、上价带区和位于...
关键词：ZNO 第一性原理 密度泛函理论 能带 带隙 
单壁碳纳米管场发射尖端电势模拟计算
《沈阳工业大学学报》2008年第4期429-432,共4页郭连权 韩东 马贺 刘嘉慧 宋开颜 武鹤楠 王帅 
沈阳工业大学博士基金资助项目(521101302)
以Maxwell电磁场理论为基础,对金属型单壁碳纳米管场发射阴极尖端附近的电势进行了模拟计算,发现在碳纳米管尖端附近,随着径向距离和轴向距离的增加,电势迅速增加;而离碳纳米管尖端较远的区域,随着径向距离和轴向距离的增加,电势增加缓...
关键词：单壁碳纳米管 场发射 电势 模拟 计算 
非手性型单壁碳纳米管的对称性分析
《人工晶体学报》2008年第4期950-954,共5页郭连权 宋开颜 武鹤楠 马贺 李大业 
沈阳工业大学博士基金项目(No.521101302)
碳纳米管有着奇特的物理性质和化学性质,该性质与其特有的几何结构有着密切的关系。本文由点群理论出发,分析了非手性型即锯齿型(n,0)和扶手椅型(n,n)单壁碳纳米管所属的点群,并对这两种类型的单壁碳纳米管的对称元进行总结。分析出n为...
关键词：碳纳米管 非手性型单壁碳纳米管 对称性 点群 特征标表 
单壁碳纳米管场发射计算被引量：1
《人工晶体学报》2007年第4期847-852,788,共7页郭连权 韩东 马贺 宋开颜 武鹤楠 王帅 
沈阳工业大学博士基金项目(No.521101302)
本文以Maxwell电磁场理论为基础,对金属型单壁碳纳米管场发射阴极尖端附近的电场进行了计算,给出了不同结构单壁碳纳米管尖端附近的电场分布,发现场强沿管的径向及轴向方向随与管尖端距离的增加而迅速下降,说明了碳纳米管产生的激发场...
关键词：单壁碳纳米管 场增强因子 阈值 场发射 
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