申三国

作品数：12被引量：8H指数：2
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发文主题：硅空位电子结构半导体原子更多>>
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ZnS(110)表面原子几何与电子特性的计算被引量：4
《物理学报》1998年第11期1879-1884,共6页申三国 贾瑜 马丙现 范希庆 
河南省自然科学基金
用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构，与第一性原理的计算结果进行了比较．讨论了晶格弛豫对表...
关键词：半导体 硫化锌 (110)表面 原子几何结构 
Al表面的多层弛豫——修正嵌入原子势的应用被引量：3
《物理学报》1997年第11期2198-2205,共8页申三国 万钧 范希庆 
河南省自然科学基金
利用修正的嵌入原子方法计算了Ａｌ低指数面（１００），（１１０），（１１１）和高指数面（２１０），（２１１），（３１０），（３１１），（３３１）的多层弛豫，所得到的结果都与实验及第一原理计算结果符合得很好．尤其是这种半...
关键词：金属处理 EAM 铝 表面 多层弛豫 
Ni,Pd和Pt的表面应力
《物理学报》1997年第10期1978-1983,共6页范希庆 万钧 申三国 
河南省自然科学基金
半经验的修正嵌入原子方法用于Ｎｉ，Ｐｄ和Ｐｔ的低指数面的表面应力计算，得到了与第一原理计算相符合的结果．给出了（１１０）表面［１１０］方向的应力是［００１］方向应力的两倍左右；阐明了应力各向异性是所有ｆｃ金属（１１０...
关键词：修正嵌入原子法 表面应力 镍 铅 铂 
Cu表面弛豫和自扩散机制的修正嵌入原子法模拟被引量：1
《物理学报》1997年第6期1161-1167,共7页万钧 申三国 范希庆 
河南省自然科学基金
利用角度修正的嵌入原子方法研究了Ｃｕ（１００），（１１０），（１１１）和（３１１）等８个面的弛豫，得到了与实验符合较好的结果．然后研究了Ｃｕ（１００）面上的自扩散机制，得到了与实验和局域密度近似计算相符合的结论．
关键词：铜 表面驰豫 扩散势垒 自扩散机制 嵌入原子法 
GaP中反位缺陷的电子结构
《郑州大学学报（自然科学版）》1994年第3期52-55,共4页申三国 
本文利用紧束缚的格林函数方法，确定了Ｇａｐ中Ｐ＿（Ｇａ）反位缺陷的波函数为深能级Ｅ的函数。理论给出反位原子上的超精细相互作用常数，同实验符合得很好，定性说明了ＧａＰ中Ｐ＿（Ｇａ）反位缺陷的次近邻原子有向外驰豫的趋势。
关键词：半导体 电子结构 磷化镓 反位缺陷 
Si中B-空位复合缺陷的电子结构
《物理学报》1991年第4期616-624,共9页申三国 范希庆 
河南省基础与应用科学研究所;河南省科学技术委员会的资助
本文对Si中B-空位(BV)缺陷的电子结构,提出一个“五个空杂化轨道”的简化理论模型。用紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,算得的空位最近邻原子的超精细相互作用常数,以及电子波函数在远离空位的几率分布都同电子-核子双共振实验结果...
关键词：SI BV缺陷 电子结构 能级 
硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构
《物理学报》1990年第10期1653-1660,共8页申三国 范希庆 
河南省基础及应用科学研究所和河南省科学技术委员会的资助
本文采用扩展的缺陷势,利用一个紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,确定了磷-空位缺陷的波函数为深能级E的函数,以深能级的实验值为输入参数,得到的波函数定量地描述了EPR和ENDOR实验资料,特别是,理论给出空位的四个近邻原子上的超精...
关键词：硅 磷 空位 缺陷 电子结构 
硅中四空位扩展的Koster-Slater模型
《物理学报》1990年第6期970-976,共7页申三国 范希庆 张德萱 任尚元 
本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V_4^-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η~2及其s特征α~2,和超精细相互作用常数,确定V_4^-处于深能级为0.78eV的A_1对称态,给出与现有实验值...
关键词：硅 空位 扩展 缺陷 势空位模型 
硅中Jahn-Teller畸变的双空位超精细相互作用的理论计算
《物理学报》1989年第6期914-922,共9页范希庆 申三国 张德萱 
采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V_2^+,v_2^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:v_2^+的未配对电...
关键词：固体理论 硅中双空位 JAHN-TELLER 
硅中三空位V_3^-的超精细相互作用的理论计算
《物理学报》1989年第6期907-913,共7页范希庆 申三国 张德萱 任尚元 
利用Koster-Slater的格林函数方法,计算了硅中三空位v_3^- 的电子态能级和波函数.结果表明,v_X^-在禁带中有五条能级:E_A_2=0.417eV,E_B_1=0.492eV,E凡一0·512ev,民一O.532eV,EB_2~2=0.608eV.根据算得的超精细相互作用常数同实验值的比...
关键词：硅中三空位V3^- 原子位置 理论计算 
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