云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 贺正宏

贺正宏: 作品数：1被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：衬底高电子迁移率晶体管盖层反应物二维电子更多>>; 发文领域：电子电信理学更多>>; 发文期刊：《物理学报》更多>>; 所获基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

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分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究被引量：1: 《物理学报》2005年第6期2950-2954,共5页徐晓华牛智川倪海桥徐应强张纬贺正宏韩勤吴荣汉江德生; 国家自然科学基金(批准号:90201026;60137020);863计划资助;中国博士后科学基金支持的课题.~~; 报道了(GaAs1-xSbx InyGa1-yAs)GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.; 关键词：分子束外延量子阱二型发光砷化镓半导体