徐晓华

作品数：3被引量：6H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：GAAS衬底超高真空镓砷更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光
《发光学报》2005年第4期507-512,共6页屈玉华 江德生 边历峰 孙征 牛智川 徐晓华 
国家自然科学基金资助项目(60276003)
嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3～1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3 μm附近的低能峰和一个较弱的...
关键词：量子阱 光致发光 GaAsSb/GaInAs 
分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究被引量：1
《物理学报》2005年第6期2950-2954,共5页徐晓华 牛智川 倪海桥 徐应强 张纬 贺正宏 韩勤 吴荣汉 江德生 
国家自然科学基金(批准号:90201026;60137020);863计划资助;中国博士后科学基金支持的课题.~~
报道了(GaAs1-xSbx InyGa1-yAs)GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.
关键词：分子束外延 量子阱 二型发光 砷化镓半导体 
N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响被引量：5
《物理学报》2004年第5期1474-1482,共9页倪海桥 徐晓华 张纬 徐应强 牛智川 吴荣汉 
国家自然科学基金(批准号:90201026;60176006);国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2002AA302107);中国博士后科学基金资助的课题~~
用Keating的价力场 (valenceforcefield)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变 .用折叠谱法 (foldedspectrummethod)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子...
关键词：超品格 电子性能 折叠谱法 蒙特卡罗模拟 砷化镓材料 镓铟氮砷锑材料 半导体材料 
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