韩东港

作品数：5被引量：15H指数：3
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供职机构：南开大学更多>>
发文主题：太阳电池迁移率IMO衬底温度X射线光电子能谱更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程更多>>
发文期刊：《光电子．激光》《河北工业大学学报》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划天津市科技攻关项目国家高技术研究发展计划更多>>
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电子束反应蒸发制备高迁移率IMO薄膜及其性能研究被引量：1
《光电子．激光》2011年第7期1022-1025,共4页陈新亮 韩东港 张德坤 孙建 耿新华 赵颖 
国家“973”重点基础研究资助项目(2011CB201605,2011CB201606,2011CB201607);天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目(09JCYBJC06900);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(65010341)
研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟（In2O3：Mo,IMO）薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3：MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现...
关键词：电子束反应蒸发技术 掺钼氧化铟(In2O3:Mo IMO)薄膜 高迁移率 太阳电池 
厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响被引量：2
《河北工业大学学报》2010年第6期1-3,共3页韩东港 陈新亮 杨瑞霞 赵颖 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB2026022006CB202603);天津市应用基础及前沿技术研究计划(09JCYBJC06900)
通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变...
关键词：电子束蒸发技术 In2O3:Mo(IMO)薄膜 薄膜厚度 高迁移率 晶体结构 
电子束反应蒸发技术生长Mo掺杂In_2O_3薄膜被引量：4
《光电子．激光》2010年第5期686-690,共5页韩东港 陈新亮 孙建 赵颖 耿新华 
国家“973”重点基础研究资助项目(2006CB202602,2006CB202603);天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目(09JCYBJC06900);天津市科技攻关资助项目(06YFGZGX02100)
利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200～350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙,透过率和Hall测试...
关键词：电子束蒸发技术 Mo掺杂In_2O_3(IMO)薄膜 衬底温度 X射线光电子能谱(XPS) 
n-i-p型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究被引量：4
《光电子．激光》2010年第1期55-58,共4页倪牮 陈新亮 曹丽冉 张建军 薛俊明 孙建 王先宝 韩东港 张德坤 赵颖 耿新华 
国家"973"重点基础研究资助项目(2006CB202602;2006CB202603);国家科技计划配套资助项目(07QTPTC29500);国家高技术发展计划资助项目(2009AA05Z422);天津应用基础及前沿技术研究计划资助项目(08JCZDJC22200;09JCYBJC06900);天津市科技发展规划资助项目(06YFGZGX02100)
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能...
关键词：n-i-p太阳电池 不锈钢(SS)衬底 p/ITO界面 
电子束沉积生长高迁移率IMO透明导电薄膜的研究被引量：8
《光电子．激光》2009年第12期1599-1601,共3页陈新亮 韩东港 孙建 赵颖 耿新华 
国家"973"重点基础研究资助项目(2006CB202602;2006CB202603);天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目(09JCYBJC06900);天津市科技攻关资助项目(06YFGZGX02100)
研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长...
关键词：电子束蒸发技术 In2O3:Mo(IMO)薄膜 高迁移率 太阳电池 
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