三村秀典

作品数:2被引量:6H指数:1
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供职机构:静冈大学更多>>
发文主题:场致发射金刚石薄膜面发射冷阴极低压驱动更多>>
发文领域:理学电子电信更多>>
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n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算被引量:1
《发光学报》2008年第3期557-560,共4页元光 曹崇龙 宋翠华 宋航 屿拹秀隆 三村秀典 
国家“973”计划资助项目(2003CB314702)
结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高...
关键词:场发射 电子能谱 硅微尖 电场渗透 
可低压驱动的金刚石薄膜冷阴极特性研究被引量:5
《发光学报》2003年第3期309-312,共4页元光 宋航 李树玮 蒋红 缪国庆 金亿鑫 三村秀典 横尾邦义 
国家"863"计划资助项目(2001AA313080)
通过在金刚石薄膜表面沉积超薄金属薄膜作为栅极的方法,在10V左右的低压下观察到场发射现象,其发射电子的发散角度为10°左右,接近于面发射;而孤立的金刚石颗粒几乎观测不到场发射。金刚石薄膜的场发射可能来自晶间相。
关键词:低压驱动 金刚石薄膜 冷阴极特性 场致发射 面发射 真空微电子器件 冷阴极材料 
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