何菊生

作品数：5被引量：11H指数：1
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供职机构：南昌大学科学技术学院更多>>
发文主题：N-GAN氮化镓位错密度纤锌矿补偿度更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《南昌大学学报（理科版）》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：江西省自然科学基金更多>>
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基于三轴X射线衍射方法的n-GaN位错密度的测试条件分析
《物理学报》2017年第21期323-328,共6页何菊生 张萌 邹继军 潘华清 齐维靖 李平 
江西省自然科学基金(批准号:20151BAB207066);南昌大学科学技术学院自然科学基金(批准号:2012-ZR-06)资助的课题~~
三轴X射线衍射技术广泛应用于半导体材料参数的精确测试,然而应用于纤锌矿n-GaN位错密度的测试却可能隐藏极大的误差.本文采用三轴X射线衍射技术测试了两个氢化物气相外延方法生长的n-GaN样品,发现两样品对应衍射面的半高全宽都基本一致...
关键词：氮化镓 高分辨三轴X射线衍射 位错密度 晶界 
基于变温霍尔效应方法的一类n-GaN位错密度的测量被引量：1
《物理学报》2017年第6期223-229,共7页何菊生 张萌 潘华清 邹继军 齐维靖 李平 
江西省自然科学基金(批准号:20151BAB207066);南昌大学科学技术学院自然科学基金(批准号:2012-ZR-06)资助的课题~~
结合莫特相变及类氢模型,采用浅施主能量弛豫方法,计算了一类常见n-Ga N光电子材料的载流子迁移率,给出了精确测定其刃、螺位错密度的电学方法.研究表明,对于莫特相变材料(载流子浓度超过1018cm^(-3)),以位错密度Ndis、刃螺位错密度比...
关键词：氮化镓 霍尔迁移率 位错密度 莫特相变 
一种测量纤锌矿n-GaN位错密度的新方法被引量：1
《物理学报》2016年第16期197-204,共8页何菊生 张萌 潘华清 齐维靖 李平 
江西省自然科学基金(批准号:20151BAB207066);南昌大学科学技术学院自然科学基金(批准号:2012-ZR-06)资助的课题~~
采用点缺陷线性分布模型,利用能量弛豫方法得到了基于van der Pauw变温霍尔效应测量来确定纤锌矿n-GaN位错密度的新方法.用高分辨率X射线衍射仪测试了两个分别用MOCVD方法和用HVPE方法生长的n-GaN样品,用Srikant方法拟合得到了位错密度...
关键词：氮化镓 霍尔迁移率 位错密度 Rode迭代法 
纤锌矿n-GaN室温补偿度解析模型
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1041-1047,共7页何菊生 张萌 许彪 唐建成 
用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数.对大多数非故意掺杂样品,该模型值θChin与Chin等人的理论值及普遍采用的变温霍耳测量拟合值比较表明,三者具有较好的一致性.对掺Si样品及有氧或Si污染的非故意掺杂样...
关键词：补偿度 GAN 电子迁移率 霍耳迁移率 补偿受主 
半导体外延层晶格失配度的计算被引量：9
《南昌大学学报（理科版）》2006年第1期63-67,102,共6页何菊生 张萌 肖祁陵 
比较了晶格失配度的各种定义,建议统一使用同一定义。采用简化模型系统地探讨了各种情况下半导体外延生长层和衬底的二维晶格失配度的计算,最后讨论了结合XRD衍射图谱确定失配度的方法。结果表明,正三角形晶格和长方形晶格匹配,长方形...
关键词：晶格失配度 体结构 二维晶格 半导体外延层 
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